《電子技術(shù)應(yīng)用》
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寫在硅光技術(shù)爆發(fā)前夜:哪類企業(yè)會提前布局硅光?

2022-03-22
來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

隨著摩爾定律逐漸變緩,硅光技術(shù)是延續(xù)摩爾定律的發(fā)展方向之一。

當(dāng)格芯推出硅光代工平臺,誓要成為領(lǐng)先硅光子代工廠;長電科技預(yù)測硅光封裝成為未來趨勢之時,這項早在上世紀提出的技術(shù),正悄悄改變著半導(dǎo)體行業(yè)。

云時代帶來的海量數(shù)據(jù)、逼近極限需要解決的節(jié)點間隙,這些可以通過光子解決的問題,正一步一步推動著硅光子前行。

硅光技術(shù)正在爆發(fā)前夜。

硅光子已成為未來趨勢

早在上個世紀90年代,IT從業(yè)者就開始為傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尋找繼任者,光子技術(shù)一度被認為是最有希望的技術(shù)。

硅光是以硅光子學(xué)為基礎(chǔ)的低成本、高速的光通信技術(shù),利用基于硅材料的CMOS微電子工藝實現(xiàn)光子器件的集成制備,融合了CMOS技術(shù)的超大規(guī)模邏輯、超高精度制造的特性以及光子技術(shù)超高速率、超低功耗的優(yōu)勢,把原本分離器件眾多的光、電元件縮小集成到一個獨立微芯片中,實現(xiàn)高集成度、低成本、高速光傳輸。

硅光技術(shù)的發(fā)展可以分為三個階段。第一,硅基器件逐步取代分立元器件,即用硅把光通信底層器件做出來,達到工藝的標(biāo)準化;第二,集成技術(shù)從耦合集成向單片集成演進,實現(xiàn)部分集成,再把這些器件像樂高積木一樣,通過不同器件的組合,集成不同的芯片;第三,光電一體技術(shù)融合,實現(xiàn)光電全集成化。把光和電都集成起來,實現(xiàn)更加復(fù)雜的功能。

目前硅光技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了第二個階段。

在制造工藝上,光子芯片和電子芯片雖然在流程和復(fù)雜程度上相似,但光子芯片對結(jié)構(gòu)的要求不像電子芯片那樣嚴苛,一般是百納米級。這大大降低了對先進工藝的依賴,在一定程度上緩解了當(dāng)前芯片發(fā)展的瓶頸問題。

阿里巴巴達摩院發(fā)布的2022十大科技趨勢中,硅光芯片是其預(yù)測的趨勢之一。隨著云計算與人工智能的大爆發(fā),硅光芯片迎來技術(shù)快速迭代與產(chǎn)業(yè)鏈高速發(fā)展。達摩院預(yù)計未來三年,硅光芯片將承載絕大部分大型數(shù)據(jù)中心內(nèi)的高速信息傳輸。

光網(wǎng)絡(luò)模塊市場預(yù)計2021年至2026年間的復(fù)合增長率為26%,到2026年可能達到40億美元。目前,硅光子技術(shù)主要用于通信領(lǐng)域,后續(xù)將逐步擴展到人工智能 (AI)、激光雷達和其他傳感器等新興應(yīng)用中。

硅光代工,臺積電棋差一著?

關(guān)于硅光芯片制造技術(shù),北京郵電大學(xué)教授李培剛表示:“硅光芯片制造技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù)是相輔相成的。”

按照代工的傳統(tǒng)經(jīng)驗,由于激光器在各核心器件中失效率較高,導(dǎo)致“光電合封”芯片的良率普遍不高。硅光器件的良品率則有較大提升。

前不久,格芯推出新一代硅光子平臺Fotonix。作為一個單片平臺,F(xiàn)otonix實現(xiàn)了多項復(fù)雜工藝整合至單個芯片的功能,把光子系統(tǒng)、射頻(RF)組件和高性能互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)邏輯集成到單個硅片上。格芯將300毫米光子學(xué)特性和300Ghz(吉赫)級別的RF-CMOS工藝集成到硅片上的平臺,可以提供一流的、大規(guī)模的性能。

格芯宣布與光量子計算、人工智能、半導(dǎo)體等多領(lǐng)域內(nèi)的公司合作,以此解決數(shù)據(jù)激增問題,為數(shù)據(jù)中心提供創(chuàng)新解決方案。在Fotonix平臺上與格芯合作的公司包括博通、Marvell、思科、英偉達、Macom、AyarLabs、Lightmatter、PsiQuantum、Ranovus、Xanadu、Ansys、楷登電子和Synopsys。

這些合作伙伴包括4家頂級光子收發(fā)器供應(yīng)商中的3家、5家頂級網(wǎng)絡(luò)公司中的4家、4家領(lǐng)先的EDA和仿真公司中的3家。

英特爾是唯一一家沒有參與的涉及光子學(xué)的主要公司。因為英特爾正在使用自己的內(nèi)部平臺。這與前不久英特爾收購的高塔半導(dǎo)體不無關(guān)系。

對高塔半導(dǎo)體的收購填補了英特爾在領(lǐng)先 FinFET 之外的工藝節(jié)點的代工產(chǎn)品中急需的空白。并且,在今年1月份 ,高塔半導(dǎo)體聯(lián)合網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備公司瞻博網(wǎng)絡(luò)(Juniper Networks)推出硅光子代工工藝,該工藝集成了III-V族激光器、放大器調(diào)制器和探測器。硅光子技術(shù)主要是利用現(xiàn)有CMOS 集成電路類似的技術(shù)來設(shè)計和制造光器件和光電集成電路。

該平臺可將III-V族激光器、半導(dǎo)體光放大器(SOA)、電吸收調(diào)制器(EAM)和光電探測器與硅光子器件共同集成在一顆單芯片上,構(gòu)成尺寸更小、具有更多通道數(shù)且更節(jié)能的光學(xué)架構(gòu)和解決方案。

瞻博網(wǎng)絡(luò)首席執(zhí)行官Rami Rahim表示:“我們與高塔半導(dǎo)體的共同開發(fā)工作非常成功,在大批量生產(chǎn)設(shè)施中驗證了這種創(chuàng)新硅光電子技術(shù)。通過向整個行業(yè)提供這種能力,瞻博提供了從根本上降低光學(xué)成本的潛力,同時降低了客戶的進入壁壘。”

盡管臺積電推出了用于硅光子芯片的先進封裝技術(shù)——COUPE(compactuniversal photonic engine,緊湊型通用光子引擎)異構(gòu)集成技術(shù),但相比起將自己定位為全球領(lǐng)先的硅光子代工廠的格芯和擁有自己硅光代工平臺的英特爾,臺積電的布局仍稍顯落后。

中國硅光子芯片的研究

工信部發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018—2022年)》指出,目前高速率光芯片國產(chǎn)化率僅3%左右,要求2022年中低端光電子芯片的國產(chǎn)化率超過60%,高端光電子芯片國產(chǎn)化率突破20%。

國家層面,支持硅光技術(shù)的利好政策紛至沓來,各地政府也紛紛入局。上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件,重點突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用,對光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開展重點攻關(guān)。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

此后,武漢建立國家信息光電子創(chuàng)新中心、上海將硅光列入首批市級重大專項、重慶打造國家級國際化新型研發(fā)機構(gòu)聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司。

在政策的扶持下,國內(nèi)也研制出硅光芯片。2021年12月,國家信息光電子創(chuàng)新中心、鵬城實驗室在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證,實現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越。

研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器,每個通道可實現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉(zhuǎn)換,最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試,完成了單片容量高達8×200Gb/s光互連技術(shù)驗證。

我國十分重視硅光芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,但目前國內(nèi)的高端硅光芯片以設(shè)計為主,流片主要還是在國外。芯片制備的周期長、成本高,種種因素制約了我國硅光子技術(shù)的發(fā)展。

哪類企業(yè)會提前布局硅光?

目前,硅光子商業(yè)化較為成熟的領(lǐng)域主要在于數(shù)據(jù)中心、高性能數(shù)據(jù)交換、長距離互聯(lián)、5G基礎(chǔ)設(shè)施等光連接領(lǐng)域,800G及以后硅光模塊性價比較為突出,產(chǎn)業(yè)鏈進展看,海外巨頭Intel、思科等通過自研或收購發(fā)展較為領(lǐng)先;國內(nèi)上市公司光迅科技、新易盛、天孚通信、中際旭創(chuàng)、博創(chuàng)科技等從分立光模塊市場紛紛切入硅光領(lǐng)域。

一是設(shè)計企業(yè)

目前來看,硅光領(lǐng)域的主要玩家仍是半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)。

英特爾研究硅光技術(shù)20多年,2016年將硅光子產(chǎn)品100GPSM4投入商用100GPSM4和100GCWDM4硅光模塊已累計出貨超400萬只,200GFR4及400GDR4正在研發(fā)。

思科于2012年、2019年收購Lightwire、Luxtera(硅光市占率35%)及Acacia公司,布局硅光領(lǐng)域。

Luxtera曾研發(fā)世界第一款CMOS光子器件,為最早推出商用級硅光集成產(chǎn)品的廠商之一,2015年發(fā)布100GPSM4硅光子芯片;Acacia400G硅光模塊方案主要是將分離光器件集成為硅光芯片的基礎(chǔ)上再與自研DSP電芯片互聯(lián),最終外接激光器進行封裝,已于2020年開始送樣給客戶。

阿里云與Elenion合作推出自研硅光模塊2019年9月宣布推出基于硅光技術(shù)的400GDR4光模塊。華為收購英國光子集成公司CIP和比利時硅光子公司Caliopa小型高容量硅光芯片。

二是封裝企業(yè)

隨著芯片制程的逐步縮小,摩爾定律正在遇到天花板,其中芯片互連是目前的技術(shù)瓶頸之一。

硅光子封裝內(nèi)集成可以改善延遲、提高帶寬,同時可以顯著降低對功率的需求,使TBps數(shù)量級的數(shù)據(jù)傳輸成為可能。

目前硅光子封裝類技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)廠商開始嘗試使用,如英特爾在高速光纖收發(fā)模組上采用硅光子封裝集成。在國內(nèi)封測巨頭長電科技的布局中,其副總裁陳靈芝曾預(yù)測未來封裝技術(shù)可能方向是硅光子封裝方向。目前,長電科技已經(jīng)關(guān)注硅光封裝技術(shù)。

隨著摩爾定律腳步的放緩,探索新的技術(shù)已經(jīng)成為目前半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵任務(wù)。將光子和集成電路的電子結(jié)合在一起,甚至是用光子替代電子形成“片上光互聯(lián)”,以實現(xiàn)對現(xiàn)有光模塊產(chǎn)業(yè)鏈的重塑,正成為半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)個“顛覆式創(chuàng)新”中的重要方向之一。

當(dāng)眾多廠商開始押注硅光子技術(shù)時,硅光子技術(shù)的爆發(fā)也許就在明天。




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