三星電子（韓國語：???? [1] ）是韓國最大的電子工業企業，同時也是三星集團旗下最大的子公司。1938年3月三星電子于韓國大邱成立，創始人是李秉喆。副會長是李在镕和權五鉉，社長是崔志成，首席執行官是由權五鉉、申宗鈞、尹富根三位組成的聯席CEO。在世界上最有名的100個商標的列表中，三星電子是唯一的一個韓國商標，是韓國民族工業的象征。 [2] 2014年11月12日消息，據國外媒體報道，三星電子已經起訴英偉達，稱其侵犯了公司幾項半導體相關專利以及投放相關產品的虛假廣告。在2014年9月，英偉達曾將三星告上法庭。2019年10月，2019福布斯全球數字經濟100強榜位列3位。
近日，據韓國媒體報道，三星電子勞資協議會當天發布內部公告稱，勞資雙方就全體員工2022年平均薪酬上調9%一事達成一致。
據了解，勞資協議會原本要求的加薪幅度為15%，但在雙方就當前經濟形勢相互協調后達成上調9%的共識，這也是近十年來的最高增幅。三星電子通常在每年3月初發布薪酬談判結果，此次例外進行了11次談判，因此推遲了近兩個月才公布最終結果。
根據三星電子于4月28日發布的業績報告，公司在2022年第一季度營業利潤為14.12萬億韓元（約合人民幣735.26億元），同比增長50.5%。銷售額為77.78萬億韓元，同比增長18.95%，創下單季最高紀錄，超出此前市場預期。
盡管受到俄烏戰爭、新冠疫情等因素的影響，半導體行業需求依舊呈現出強勢的增長勢頭，作為全球半導體領域龍頭企業之一，三星電子的業績也乘勢而起。
日前，三星電子在財報中展望2022年二季度的表現時提到，“將通過在世界上首次量產3nm制程（GAA 3-nano）來提高技術領先地位”。這被外界解讀為該公司將在未來幾周實現3nm制程量產。而全球最大的晶圓代工廠臺積電按計劃要到2022年下半年才能量產3nm，在時間上落后于三星電子。
盡管臺積電對競爭對手不予置評，但臺媒《經濟日報》還是為臺積電“站臺說話”，稱三星雖然宣稱3nm即將量產，但從晶體管密度、功耗等關鍵指標看，三星的3nm實際上與臺積電的4nm及英特爾的Intel 4（原英特爾7nm）制程相當，且良率可能存在問題。
臺媒評論三星，“表面上贏了面子，實際上還是輸了里子”。
作為當前全球芯片代工市場的“老二”，三星電子一直希望能在晶圓代工領域超車“老大”臺積電。但雙方均持續投入，競爭格局近年來并無明顯變化，臺積電目前仍占據著全球過半份額。
因此，三星電子不得不從制程方面下手，希望通過領先臺積電量產更先進的制程，來爭奪更多的客戶。
4月底，三星電子披露了2022年一季度財報。在提到代工業務時，該公司透露，盡管一季度存在供應等問題，但需求穩定，先進制程的供應有所增長。展望第二季度，該公司表示，將通過在全球率先實現3nm制程量產來提升技術領先地位，還將通過擴大供應，爭取包括美國和歐洲公司在內的全球更多客戶的新訂單。
TechSpot等國外科技媒體指出，三星這一表態代表著該公司正全力準備讓使用環繞閘極技術（GAA）架構的3nm制程在今年上半年進入投產階段，也就是在未來8周內啟動量產程序。
臺積電的3nm制程也計劃在2022年量產，不過是在下半年。
在4月上旬舉行的業績會上，臺積電方面透露，采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構的3nm依原計劃在下半年量產，將是下個大成長節點；2nm制程預計于2025年量產，有望業界領先。
據三星方面透露，相較于該公司目前采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構的7nm制程，即將量產的3nm制程可以在0.75伏特以下的低電壓環境工作，使整體耗電量降低50%，效能提升30%，芯片體積減少45%。
三星電子自2018年以來首次超越英特爾重回第一，盡管領先優勢還不到1%，該公司在2021年的收入增長了28%。英特爾的收入下降了0.3%，市場份額為12.2%，相較于三星的12.3%。在排名前十的半導體廠商中，2021年內增長最快的是AMD和聯發科技，兩家公司在2021年分別增長了68.6%和60.2%。
三星上周四表示，它有望在本季度（即未來幾周內）使用其 3GAE （早期 3 納米級柵極全能）制造工藝開始大批量生產。該公告不僅標志著業界首個3nm級制造技術，也是第一個使用環柵場效應晶體管（GAAFET）的節點。
三星在財報說明中寫道：“通過世界上首次大規模生產 GAA 3 納米工藝來增強技術領先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）
三星代工的 3GAE 工藝技術 是該公司首個使用 GAA 晶體管的工藝，三星官方將其稱為多橋溝道場效應晶體管 （MBCFET）。
三星大約在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 節點。三星表示，該工藝將實現 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高達 80% 的晶體管密度（包括邏輯和 SRAM 晶體管的混合）。不過，三星的性能和功耗的實際組合將如何發揮作用還有待觀察。
理論上，與目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有許多優勢。在 GAA 晶體管中，溝道是水平的并且被柵極包圍。GAA 溝道是使用外延和選擇性材料去除形成的，這允許設計人員通過調整晶體管通道的寬度來精確調整它們。通過更寬的溝道獲得高性能，通過更窄的溝道獲得低功耗。這種精度大大降低了晶體管泄漏電流（即降低功耗）以及晶體管性能可變性（假設一切正常），這意味著更快的產品交付時間、上市時間和更高的產量。此外，根據應用材料公司最近的一份報告，GAAFET 有望將cell面積減少 20% 至 30% 。
說到應用，它最近推出的用于形成柵極氧化物疊層的高真空系統 IMS（集成材料解決方案）系統旨在解決 GAA 晶體管制造的主要挑戰，即溝道之間的空間非常薄以及沉積多晶硅的必要性。在很短的時間內在溝道周圍形成層柵氧化層和金屬柵疊層。應用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子層沉積 （ALD）、熱步驟和等離子體處理步驟沉積僅 1.5 埃厚的柵極氧化物。高度集成的機器還執行所有必要的計量步驟。
三星的 3GAE 是一種“早期”的 3nm 級制造技術，3GAE 將主要由三星 LSI（三星的芯片開發部門）以及可能一兩個 SF 的其他 alpha 客戶使用。請記住，三星的 LSI 和 SF 的其他早期客戶傾向于大批量制造芯片，預計 3GAE 技術將得到相當廣泛的應用，前提是這些產品的產量和性能符合預期。
過渡到全新的晶體管結構通常是一種風險，因為它涉及全新的制造工藝以及全新的工具。其他挑戰是所有新節點引入并由新的電子設計自動化 （EDA） 軟件解決的新布局方法、布局規劃規則和布線規則。最后，芯片設計人員需要開發全新的 IP，價格昂貴。
外媒：三星3nm良率僅有20%
據外媒Phonearena報道，三星代工廠是僅次于巨頭臺積電的全球第二大獨立代工廠。換句話說，除了制造自己設計的 Exynos 芯片外，三星還根據高通等代工廠客戶的第三方公司提交的設計來制造芯片。
Snapdragon 865 應用處理器 （AP） 由臺積電使用其 7nm 工藝節點構建。到了5nm Snapdragon 888 芯片組，高通回到了三星，并繼續依靠韓國代工廠生產 4nm Snapdragon 8 Gen 1。這是目前為三星、小米、摩托羅拉制造的高端 Android 手機提供動力的 AP。
