自鎧俠的前身東芝存儲(chǔ)在1987年發(fā)明NAND閃存以來(lái)，NAND閃存經(jīng)歷了從二維到三維的技術(shù)演進(jìn)，三星作為3D NAND閃存的締造者，至今仍占據(jù)著技術(shù)和產(chǎn)能雙第一的寶座。
但目前，以美光、西部數(shù)據(jù)、鎧俠為代表的廠商紛紛在200+層3D NAND閃存領(lǐng)域發(fā)力，各廠商的競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入產(chǎn)能和層數(shù)等的多重較量，這是否會(huì)動(dòng)搖三星的領(lǐng)先地位？
層數(shù)不是唯一評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)
3DNAND閃存領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步速度極快，使得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)異常激烈。而閃存企業(yè)的產(chǎn)品利潤(rùn)率水平又與其創(chuàng)新能力息息相關(guān)，因此各大廠商在新產(chǎn)品的研發(fā)上競(jìng)爭(zhēng)不斷加劇。2013年8月，三星推出了全球首款3DNAND閃存，當(dāng)時(shí)的層數(shù)僅為24層，而經(jīng)過(guò)9年的技術(shù)突破，目前可以量產(chǎn)的3D NAND最高層數(shù)已經(jīng)達(dá)到了176層，但能夠真正做到的企業(yè)只有三星和美光。
今年2月初，三星發(fā)出公告稱，將在2022年底或2023年上半年推出200層以上的3D NAND芯片，并在2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。預(yù)計(jì)三星第一款200層以上3D NAND芯片的層數(shù)將達(dá)到224層。
就在大家以為三星將繼續(xù)引領(lǐng)技術(shù)潮流，將3D NAND閃存帶入200+層新時(shí)代的時(shí)候，美光卻搶先一步在其投資日活動(dòng)上公開(kāi)表示，將于2022年底開(kāi)始量產(chǎn)全球首款232層3DNAND芯片，搭載該芯片的SSD將在2023年發(fā)布。美光此舉可以說(shuō)是后發(fā)制人，而且這也不是美光第一次這么做了。早在2022年1月，美光就早于三星率先發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款176層3D NAND芯片。半導(dǎo)體行業(yè)專家池憲念向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出：“美光此次技術(shù)突破，一方面可降低其生產(chǎn)成本，并使美光擁有最先進(jìn)閃存芯片的定價(jià)權(quán)，從而為其增加更多的利潤(rùn)；另一方面，美光借此進(jìn)一步提高了自己的技術(shù)門檻，拉開(kāi)與其它廠商的差距，使其在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力和3D NAND 閃存市場(chǎng)份額得到進(jìn)一步增加。”
除了美光之外，日本存儲(chǔ)領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠與西部數(shù)據(jù)共同表示，將于2022年底量產(chǎn)162層3D NAND，2024年之前推出200層以上的3D NAND芯片；而我國(guó)存儲(chǔ)芯片頭部企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)同樣有消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始向一些客戶交付了其獨(dú)立研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將于2022年底前正式推出相應(yīng)產(chǎn)品。本報(bào)記者聯(lián)系了長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)人員，但對(duì)方表示對(duì)該消息不予置評(píng)。
可以看出，各大企業(yè)都在積極研發(fā)200+層NAND閃存，美光、鎧俠、西數(shù)、長(zhǎng)存在層數(shù)上都已具有了與三星掰手腕的實(shí)力，三星在技術(shù)上的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)已經(jīng)開(kāi)始發(fā)生動(dòng)搖。半導(dǎo)體行業(yè)專家楊俊剛向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，從目前的研發(fā)進(jìn)度來(lái)看，三星和美光在多層數(shù)堆疊存儲(chǔ)器方面的技術(shù)基礎(chǔ)較為領(lǐng)先，三星或會(huì)為了追求技術(shù)的領(lǐng)先性，以及提前搶占市場(chǎng)份額，調(diào)整時(shí)間，爭(zhēng)取更早在市場(chǎng)上推出200+層閃存產(chǎn)品。
閃存的層數(shù)越多，單位空間存儲(chǔ)密度就越大，總存儲(chǔ)容量越容易提升，但值得注意的是，層數(shù)并不是決定閃存性能的唯一指標(biāo)。創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，3DNAND閃存堆疊技術(shù)在原理上基本類似，即通過(guò)堆疊的方式，實(shí)現(xiàn)在更小的空間和面積完成各大的存儲(chǔ)容量。但是各個(gè)廠家都有各自的技術(shù)架構(gòu)和演進(jìn)路線圖，并不完全一致，各家都有各家的技術(shù)工藝特色。在低層級(jí)的時(shí)候，3D堆疊確實(shí)能夠顯著提升閃存的性能，但是隨著層數(shù)的增加，性能提升也會(huì)遭遇瓶頸，需要在技術(shù)、成本和性能之間尋找一個(gè)平衡。
池憲念明確指出，層數(shù)的領(lǐng)先并不能代表美光在閃存技術(shù)上已經(jīng)超過(guò)了三星。因?yàn)?，?duì)閃存產(chǎn)品的評(píng)價(jià)除了堆疊層數(shù)以外，還需要對(duì)接口速度、可靠性、隨機(jī)讀取性能、低能耗、增加每單元位數(shù)等方面的指標(biāo)進(jìn)行對(duì)比。此外還需要評(píng)價(jià)在生產(chǎn)過(guò)程中能否實(shí)現(xiàn)低成本、低損耗。在堆疊層數(shù)落后的情況下，三星可以通過(guò)提高產(chǎn)品的實(shí)際性能來(lái)提升自身的競(jìng)爭(zhēng)力。
市場(chǎng)格局穩(wěn)定中存變數(shù)
有數(shù)據(jù)顯示，近幾年，三星和鎧俠始終占領(lǐng)NAND市場(chǎng)份額的第一、第二，西部數(shù)據(jù)、美光、海力士以及被收購(gòu)前的英特爾NAND業(yè)務(wù)占據(jù)3-6名且名次常有輪換?？梢钥闯?，產(chǎn)能同樣是NAND閃存企業(yè)比拼的重點(diǎn)。目前，各大企業(yè)都在積極擴(kuò)產(chǎn)，希望提高產(chǎn)能和市占率。
2020年9月，韓國(guó)芯片大廠SK海力士宣布斥資90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)，并于2021年年底完成了交易，在交易事項(xiàng)中，就包括了位于中國(guó)大連的閃存芯片工廠。
近日，SK海力士決定繼續(xù)擴(kuò)大投資并在大連工廠內(nèi)建設(shè)一座新的晶圓工廠，將大連工廠打造成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的NAND閃存生產(chǎn)基地，目前已正式開(kāi)工。據(jù)悉，SK海力士加上英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)的市場(chǎng)總份額將達(dá)到全球第二，但相較于三星的市場(chǎng)份額依然存在較大差距。短期內(nèi)，三星在NAND產(chǎn)業(yè)的地位仍然難以超越。
而鎧俠和西部數(shù)據(jù)這對(duì)已經(jīng)合作20年的“親密伙伴”也在近期宣布將共同投資位于日本四日市的Fab7（Y7）制造工廠的第一階段工程，為該工廠建設(shè)第六座閃存生產(chǎn)設(shè)施，預(yù)計(jì)今年秋季啟動(dòng)生產(chǎn)。雙方表示，將基于共同研發(fā)3D NAND及聯(lián)合投資等方式，繼續(xù)發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)、增強(qiáng)各自競(jìng)爭(zhēng)力，擴(kuò)大在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
據(jù)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler曾在采訪中表示，鎧俠是西部數(shù)據(jù)重要的合作伙伴，兩家企業(yè)加起來(lái)是全球最大的NAND供應(yīng)商，市占率略高于三星。
步日欣認(rèn)為，單純依賴各家略有差異化的技術(shù)路線，并不能形成非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，閃存相對(duì)穩(wěn)定的市場(chǎng)格局短時(shí)間內(nèi)很難被打破。在市場(chǎng)格局層面，鎧俠和西數(shù)單純的業(yè)務(wù)合作，很難撼動(dòng)三星的市場(chǎng)地位，即便是之前西部數(shù)據(jù)意圖收購(gòu)鎧俠，資本層面的全面合并，也很難出現(xiàn)1+1>2的結(jié)果。而三星在NAND領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)完善、技術(shù)也相對(duì)成熟，在NAND與其他企業(yè)合作的可能性不是很大。
近期，有消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的規(guī)模已經(jīng)突破10萬(wàn)片/月。芯謀研究高級(jí)分析師張彬磊指出，企業(yè)已經(jīng)進(jìn)入良性發(fā)展階段，隨著良率進(jìn)一步提升、成本進(jìn)一步降低，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將逐漸進(jìn)入全球閃存市場(chǎng)，與頭部企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。
步日欣同樣看好長(zhǎng)江存儲(chǔ)，但他也指出，閃存屬于標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，存在規(guī)模效應(yīng)，而且全球已經(jīng)形成穩(wěn)固的市場(chǎng)格局，國(guó)內(nèi)廠商要實(shí)現(xiàn)突圍，不能單純依賴價(jià)格、服務(wù)優(yōu)勢(shì)等市場(chǎng)化手段，更應(yīng)該尋求國(guó)外廠商不具備的優(yōu)勢(shì)點(diǎn)，比如更加貼近用戶，開(kāi)辟藍(lán)海市場(chǎng)，構(gòu)建產(chǎn)品和技術(shù)成熟度，形成生態(tài)。
盡管各大企業(yè)都在努力突圍，增強(qiáng)各項(xiàng)能力，想要提升市場(chǎng)占有率，但在短時(shí)間內(nèi)，他們所帶來(lái)的沖擊依舊有限，無(wú)論是技術(shù)還是產(chǎn)能，三星仍然是一道無(wú)法逾越的高墻，全球NAND閃存市場(chǎng)格局還將繼續(xù)維持現(xiàn)狀。