在臺積電和三星的3nm工藝量產云里霧里的時候，Intel宣布它的Intel 4工藝也將在今年下半年量產，如此一來臺積電和三星的3nm工藝領先優勢可能成為泡影。
近幾年來臺積電和三星幾乎保持著1－2年升級一代芯片制造工藝的腳步，到如今它們投產的最先進工藝已是5nm，而Intel則在去年底才投產10nm；臺積電和三星在今年下半年量產3nm，而Intel則在今年下半年量產7nm。
從納米工藝的數字來看，Intel無疑已遠遠落后于臺積電和三星，不過這僅僅是它們在命名方面的差異，然而在芯片制造工藝的實際性能方面，其實差距并沒有如名字那么大，Intel甚至還稍微領先于三星。
對于芯片制造工藝的性能，去年臺媒digitimes曾根據晶體管密度給出了不同的評論，對Intel、臺積電、三星三家芯片制造廠的工藝做了比較，根據晶體管密度，Intel的10nm工藝達到1．06億個晶體管每平方毫米，而臺積電、三星的7nm工藝才分別為0．97、0．95億個晶體管每平方毫米。
并且越到后面的先進工藝，三者的差距就越大，digitimes認為Intel的7nm工藝與臺積電的5nm工藝相當，而三星的5nm工藝則比臺積電落后四分之一，預計三星的3nm工藝晶體管密度才能達到臺積電5nm工藝和Intel 7nm工藝水平。
Intel在芯片制造工藝命名上吃了虧，因此Intel新任CEO基辛格上任后也開始依照臺積電和三星的命名規矩，對它的芯片制造工藝改名，10nm工藝被改名為Intel 7工藝，7nm工藝則被改名為Intel 4工藝。
目前Intel、臺積電、三星等在芯片制造工藝上展開了激烈的競賽，Intel預計在今年下半年量產Intel 4工藝后只比臺積電稍微落后，卻比三星領先，正力爭提前量產Intel 20和Intel 18A工藝，力求在2025年量產Intel 18A工藝反超臺積電。
臺積電也不甘示弱，臺積電加速了它的2nm工藝進程，預計2024年量產2nm，比原計劃提前一年；當下的3nm工藝研發團隊立即轉入研發1．4nm工藝，力爭在2025年量產，以保持對Intel的領先優勢。
但是Intel背后有美國的支持，為了支持Intel加速先進工藝研發，目前美國計劃將520億美元的芯片補貼優先給包括Intel在內的美國企業，臺積電和三星順應美國要求后在美國設廠卻可能無法得到這筆補貼；同時ASML也在美國的要求下擴大它在美國的工廠，并優先將第二代EUV光刻機交給Intel。
在諸多因素影響下，孤軍奮戰的臺積電還能否加速2nm、1．4nm工藝研發就存在疑問，面對種種困難，臺積電如今已悄悄降低了對美國芯片的依賴度，今年一季度中國大陸芯片貢獻的營收占比達到了11％，較去年的6％大幅提升，似乎臺積電認識到了中國大陸芯片的重要性，希望依靠中國大陸芯片制衡美國芯片。
