6月2日消息，據媒體報道，Intel將與軟銀合作，共同開發(fā)一種可取代HBM內存的堆疊式DRAM解決方案。
雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術和東京大學等日本學術界的專利，共同打造原型產品。
該合作的目標是在2027年前完成原型設計，并評估量產可行性，力爭在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。
目前大多數AI處理器都使用HBM芯片，這類芯片非常適合暫存處理的大量數據，但由于其制造工藝復雜、成本高昂，且容易過熱、耗電量大，限制了其廣泛應用。
雙方計劃通過堆疊DRAM芯片并優(yōu)化連接方式，新方案有望實現(xiàn)至少大一倍的存儲容量，同時將耗電量減少40%，并大幅降低成本。
軟銀將成為新公司的最大股東，出資約30億日元，公司計劃初期研發(fā)經費約150億日元，如果這項技術成功，軟銀希望優(yōu)先獲得供應權。
由于AI芯片需求旺盛，HBM供應持續(xù)緊張，Saimemory希望通過這種替代產品，搶占至少日本數據中心的市場份額，此外這也是日本20多年來首次嘗試重返內存芯片主要供應國之列。
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