2016年成立的長江存儲，于2017年通過自主研發和國際合作的方式，設計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江存儲晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC閃存量產，2020年，第三代TLC/QLC研發成功，推進到128層3D堆疊。
在閃存領域，通常將堆疊層數視作技術先進程度的指標。
DT報道稱，業內人士給出消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產。
這是什么概念?
根據此前韓國研究機構OERI的一份報告，其表示中韓閃存技術差距目前已經縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會量產超200層閃存，長江存儲則要到2024年，現在來看，它們低估了長江存儲的技術儲備。
另外，此前傳出長江存儲有望打入蘋果供應鏈，為iPhone等產品供貨閃存的說法，倘若最終實現，那么無疑將有著打破產業格局的動能。
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