今天的Q2財報會議上，臺積電除了公布當(dāng)季運營數(shù)據(jù)之外，還談到了工藝進(jìn)展，確認(rèn)3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm則會在2025年量產(chǎn)。

目前HPC高性能計算占了臺積電營收的重要部分，對先進(jìn)工藝要求也是很高的，臺積電的3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營收，不過初期會拉低一些毛利率，大約2-3個點。

臺積電的3nm工藝共有5個衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，會陸續(xù)在未來兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

再往后就是2nm節(jié)點了，這是臺積電的有一個重大節(jié)點，會采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，也就是進(jìn)入GAA晶體管時代，不過三星在3nm節(jié)點就已經(jīng)采用這個技術(shù)了。

N2相較于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，開啟高效能新紀(jì)元。

不過密度方面擠牙膏了，相比3nm僅提升了10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到摩爾定律密度翻倍的要求，比之前臺積電新工藝至少70%的密度提升也差遠(yuǎn)了。

根據(jù)臺積電的信息，2nm工藝將在2024年試產(chǎn)，2025年量產(chǎn)。