IGBT為垂直導電大功率器件它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件，同時繼承了這兩種功率半導體的優點：驅動功率小且飽和電壓低，適用于高壓、大電流領域；也是現在功率半導體的主流。

　　IGBT是國家「02專項」的重點扶持項目被稱為電力電子行業里的「CPU」其直接控制直、交流電的轉換，決定了驅動系統的扭矩，以及最大輸出功率；從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的；被廣泛應用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等領域。

　　自上世紀80年度IGBT開啟工業化應用以來，IGBT技術經歷了豐富的技術演變，涌現出七代不同的IGBT技術方案；其主要從三方面發展演變：器件縱向結構，柵極結構以及硅片的加工工藝。

　　多年以來，IGBT技術改進的追求的目標是：

　　1、減小通態壓降。達到增加電流密度、降低通態功率損耗的目的。

　　2、降低開關時間，特別是關斷時間。達到提高應用時使用頻率、降低開關損耗的目的。

　　3、組成IGBT的大量“原胞”在工作時是并聯運行，要求每個原胞在工作溫度允許范圍內 溫度變化時保持壓降一致，達到均流目的。否則會造成IGBT器件因個別原胞過流損壞而損壞。

　　4、提高斷態耐壓水平，以滿足應用需要。

　　在眾多IGBT產品當中，根據封裝的復雜程度可以分為四種產品：

　　（切塊）1.由晶圓切割而成的IGBT裸片DIE：將一片晶圓進行工藝加工可以生產出許多顆裸片，英文稱作DIE。

　　（單獨）2.由單顆DIE封裝而成的IGBT分立器件：DIE會對應不同的封裝形式，一種就是比較常用的針對中小功率用分立器件，里面只封裝一顆 DIE 。封裝對應電流能力較小，它適用在消費、工業家電這種領域比較多。

　　（合體）3.由多顆DIE并聯封裝而成的IGBT模塊：功率更大、散熱能力更強的、適用于高壓大功率平臺的IGBT模塊。現在新能源汽車、主流光伏、高鐵、電力傳輸比較多的大功率場合都是用這種模塊。

　　（加料）4.在IGBT模塊外圍增加其他功能的智能功率模塊（IPM）：把IGBT模塊加上外面的組件、散熱器、電容，就可以組成一個功能較為復雜的智能功率模塊（簡稱IPM）。

　　隨著全球制造業向中國的轉移，中國已逐漸成為全球最大的IGBT消費市場。

　　作為半導體功率器件中最有潛力的IGBT，當前市場規模正快速增長。尤其在國內供應鏈安全時常受威脅的背景下；我國還沒有一個廠家能夠實現6500V IGBT芯片本土產業化；我國的功率半導體技術包括芯片設計、制造和模塊封裝技術目前都還處于起步階段。

　　為了實現自主可控，國產廠商正在開始推進IGBT的國產化；2015年，由我國自主研發的IGBT變流器首次出口海外市場，奪得了印度100輛機車的訂單。

　　短短3年時間，國產IGBT在功率器件的市場占有率從零一下攀升至60%，并且以每年200%的銷售業績增長，統一后的高鐵標準動車組將全部采用IGBT“中國芯”。

　　目前，隨著新能源汽車的高速發展，igbt和frd等功率半導體器件的需求也越來越大；當下，新能源汽車行業臨近拐點之年，高端車與低端車雙雙加速放量，預計2025年銷量有望達505萬輛。在新能源汽車等下游應用市場蓬勃發展的拉動下， IGBT供不應求;

　　IGBT大約占電機驅動系統成本的一半，占到整車成本的5%是整部電動車成本第二高的元件(成本第一高的是電池)。毫不夸張地說，是電動車領域的“核心技術”

　　在光伏領域應用情況，光伏逆變器分為分布式和集中式，分布式中功率相對較低的場景如入戶式、微逆中IGBT單管用的較多，集中式逆變器和高功率分布式中常用的是IGBT模塊。

　　臺灣茂硅晶圓及生產代工廠推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片；與行業同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。

　　由工采網代理的臺灣茂硅生產的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性：

　　1、1200V壕溝和現場停止技術 2、低開關損耗 3、正溫度系數  4、簡易平行）可應用于中等功率驅動器；不間斷電源。

　　臺灣茂矽IGBT產品已經逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領域，并受到客戶青睞，擁有一整套完整的解決方案。

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