中國(guó) 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo^? （納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線(xiàn)表面貼裝 （TOLL） 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 （mΩ） 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá) 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。有助于幫助客戶(hù)減小體積尺寸，提高功率密度。

　　在 600 / 750V 這一層次電壓功率 FETs 類(lèi)別中，Qorvo 第四代 （Gen 4） SiC FETs 產(chǎn)品的主要性能：比如導(dǎo)通電阻和輸出電容方面領(lǐng)先業(yè)界。此外，在 TOLL 封裝中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻，比目前市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V，為客戶(hù)產(chǎn)品應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)管電壓瞬變尖峰提供了更多的設(shè)計(jì)裕量。

　　Qorvo 電源器件事業(yè)部首席工程師 Anup Bhalla 表示：“在 TOLL 封裝中推出我們的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇，為此我們已邁出重要的一步，尤其對(duì)于從事工業(yè)應(yīng)用的客戶(hù)，他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設(shè)計(jì)組合。”

　　TOLL 封裝與 D2PAK 表面貼裝器件相比，尺寸減少了 30％，高度為 2.3mm，相當(dāng)于同類(lèi)產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小，但先進(jìn)的制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 0.1℃ / W熱阻（從結(jié)到殼）。導(dǎo)通直流電流額定值最大為 120A，此時(shí)對(duì)應(yīng)的殼溫為 144℃，在 0.5 毫秒時(shí)間內(nèi)，脈沖沖擊電流最大值可以達(dá)到 588A。結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻和出色的瞬態(tài)散熱能力，Qorvo 的 750V TOLL 封裝產(chǎn)品的“I2t”值比同一封裝的 Si MOSFET 高出約 8 倍，有助于提高客戶(hù)產(chǎn)品的魯棒性和抗瞬態(tài)過(guò)載能力，同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。TOLL 封裝還提供了開(kāi)爾文連接以實(shí)現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。

　　這些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 獨(dú)特的 Cascode 電路結(jié)構(gòu)（即共源共柵），將 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝在一個(gè)器件內(nèi)部，以發(fā)揮寬禁帶開(kāi)關(guān)技術(shù)的高效率優(yōu)勢(shì)和 Si MOSFET 簡(jiǎn)化的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)。

　　現(xiàn)在可使用 Qorvo 免費(fèi)在線(xiàn)工具 FET-JET 計(jì)算 TOLL 封裝的 Gen4 5.4mΩ SiC FET，該計(jì)算器可以立即評(píng)估各種交流 / 直流和隔離 / 非隔離的DC / DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)溥B接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升。可將單個(gè)和并聯(lián)的器件在用戶(hù)指定的散熱條件下進(jìn)行對(duì)比，以獲取最佳解決方案。

　　3 月 19 日至 23 日，該系列產(chǎn)品于位于佛羅里達(dá)州奧蘭多舉行的應(yīng)用電源電子產(chǎn)品會(huì)議 （APEC） 上展示，Qorvo 展位號(hào) 632。

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