• 全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松

• 簡化設計和制造，同時保證性能

　　荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術有助于為5G基礎設施打造更輕薄的無線產品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經濟性，同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片模塊系列與全新的射頻功率器件頂部冷卻解決方案相結合，不僅有助于將無線電產品的厚度和重量減少20%以上，而且還可以減少5G基站制造和部署的碳足跡。

　　恩智浦副總裁兼射頻功率業(yè)務部總經理Pierre Piel表示：“頂部冷卻技術為無線基礎設施行業(yè)帶來了重大機遇，借助該技術，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結合，打造出尺寸更小的射頻子系統(tǒng)。基于這一創(chuàng)新技術的解決方案，讓我們既可以部署更環(huán)保的基站，同時又能保證實現(xiàn)5G全部性能優(yōu)勢所需的網絡密度。”

　　恩智浦新推出的頂部冷卻式器件具有顯著的設計和制造優(yōu)勢，如無需專用射頻屏蔽、可以使用高性價比的精簡印刷電路板，以及分離熱管理與射頻設計。這些特性有助于網絡解決方案提供商為移動網絡運營商打造更輕薄的5G無線產品，同時縮短產品的整體設計周期。

　　恩智浦首個頂部冷卻式射頻功率模塊系列專為32T32R、200W射頻而設計，覆蓋3.3GHz至3.8GHz的頻率范圍。這款器件結合使用了恩智浦專有的LDMOS和GaN半導體技術，兼具高增益、高效率和寬帶性能，能夠在400MHz瞬時帶寬下提供31 dB的增益和46%的效率。

　　A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF參考板系列將為A5M36TG140-TC提供支持。

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