據(jù)媒體報(bào)道，佳能負(fù)責(zé)新型光刻機(jī)的高管在接受采訪時(shí)表示，采用納米壓印技術(shù)的佳能光刻設(shè)備FPA-1200NZ2C目標(biāo)今年或明年出貨。

去年10月中旬，佳能公司宣布推出基于納米壓印的FPA-1200NZ2C，佳能表示，該設(shè)備采用不同于復(fù)雜的傳統(tǒng)光刻技術(shù)的方案，可以制造5nm芯片。

佳能表示，這套設(shè)備的工作原理和ASML的光刻機(jī)不同，并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術(shù)，直接通過壓印形成圖案。

相較于目前已商用化的EUV光刻技術(shù)，盡管納米壓印技術(shù)的芯片制造速度要比傳統(tǒng)光刻方式慢，但鎧俠在2021年就曾表示，納米壓印技術(shù)可大幅減少耗能，并降低設(shè)備成本。

原因在于納米壓印技術(shù)的制程較為簡單，耗電量可壓低至EUV技術(shù)的10%，并讓設(shè)備投資降低至僅有EUV設(shè)備的40%。

另外，納米壓印設(shè)備還可以使得芯片制造商降低對(duì)于ASML的EUV光刻機(jī)的依賴，使得臺(tái)積電、三星等晶圓代工廠可以有第二個(gè)路線選擇，可以更靈活的為客戶生產(chǎn)小批量芯片。

不過佳能CEO三井藤夫曾在采訪中表示，佳能可能無法將這些設(shè)備出口到中國，“我的理解是，任何超過14nm技術(shù)的出口都是被禁止的，所以我認(rèn)為我們無法銷售。”