據(jù)媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導(dǎo)體工廠，將進行2nm制造。

據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。

作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

臺積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù)，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。

業(yè)內(nèi)人士指出，三星、臺積電均具備2025年量產(chǎn)2nm工藝的實力，但是在良率以及客戶認可度方面會有所差別。

舉例來說，此前高通驍龍8 Gen1采用的是三星4nm工藝，因功耗問題高通換成了臺積電4nm，從驍龍8+ Gen1開始，高通驍龍8系全面擁抱臺積電。

如果三星芯片良率提升，功耗不翻車的話，高通未來的驍龍8系列處理器有可能再次交由三星代工。

在這場2nm之戰(zhàn)中，無論是臺積電還是三星，都很難成為絕對的贏家，畢竟一枝獨秀不是春，百花齊放春滿園。