2024 年 3 月 4 日，中國(guó)上海 —— 全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。

　　HBM3E：推動(dòng)人工智能革命

　　隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對(duì)于滿足工作負(fù)載需求的增加至關(guān)重要。美光 HBM3E 解決方案通過(guò)以下優(yōu)勢(shì)直面這一挑戰(zhàn)：

• 卓越的性能：美光 HBM3E 引腳速率超過(guò) 9.2Gb/s，提供超過(guò) 1.2TB/s 的內(nèi)存帶寬，助力人工智能加速器、超級(jí)計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)超高速的數(shù)據(jù)訪問(wèn)。

• 出色的能效：美光 HBM3E 功耗比競(jìng)品低約 30%， 處于行業(yè)領(lǐng)先地位。為支持日益增長(zhǎng)的人工智能需求和用例，HBM3E 以更低功耗提供更大吞吐量，從而改善數(shù)據(jù)中心的主要運(yùn)營(yíng)支出指標(biāo)。

• 無(wú)縫的可擴(kuò)展性：美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量，使數(shù)據(jù)中心能夠無(wú)縫擴(kuò)展其人工智能應(yīng)用。無(wú)論是用于訓(xùn)練海量神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)還是加速推理任務(wù)，美光的解決方案都提供了必要的內(nèi)存帶寬。

　　美光執(zhí)行副總裁暨首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光憑借 HBM3E 這一里程碑式產(chǎn)品取得了三大成就：領(lǐng)先業(yè)界的上市時(shí)間、引領(lǐng)行業(yè)的性能和出眾的能效表現(xiàn)。人工智能工作負(fù)載在很大程度上依賴于內(nèi)存帶寬和容量。美光擁有業(yè)界領(lǐng)先的 HBM3E 和 HBM4 產(chǎn)品路線圖，以及為 AI 應(yīng)用打造的 DRAM 和 NAND 全套解決方案，為助力人工智能未來(lái)的大幅增長(zhǎng)做足了準(zhǔn)備。”

　　美光利用其 1β（1-beta）技術(shù)、先進(jìn)的硅通孔（TSV）和其他實(shí)現(xiàn)差異化封裝解決方案的創(chuàng)新技術(shù)開(kāi)發(fā)出業(yè)界領(lǐng)先的 HBM3E 設(shè)計(jì)。美光作為 2.5D/3D 堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域長(zhǎng)久以來(lái)的存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商，有幸成為臺(tái)積電 3Dfabric 聯(lián)盟的合作伙伴成員，共同構(gòu)建半導(dǎo)體和系統(tǒng)創(chuàng)新的未來(lái)。

　　美光將于 2024 年 3 月出樣 12 層堆疊的 36GB 容量 HBM3E，提供超過(guò) 1.2TB/s 的性能和領(lǐng)先于競(jìng)品的卓越能效，從而進(jìn)一步強(qiáng)化領(lǐng)先地位。美光將贊助 3 月 18 日開(kāi)幕的英偉達(dá) GTC 全球人工智能大會(huì)，屆時(shí)將分享更多前沿 AI 內(nèi)存產(chǎn)品系列和路線圖。

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