圖：4/17筑波科技 第三代半導(dǎo)體材料與測(cè)試技術(shù)研討會(huì)
在電動(dòng)車(chē)與新能源市場(chǎng)需求下，第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 具高頻率、耐高壓、優(yōu)異的散熱性能和高效能轉(zhuǎn)換，成為車(chē)用半導(dǎo)體、電源管理IC的關(guān)鍵技術(shù)。新型半導(dǎo)體材料如氧化鎵 （Ga2O3）、石墨烯等，具特殊電子性能，有望在未來(lái)電子器件發(fā)揮作用。在晶圓制造、檢測(cè)分析如：材料分析 （MA）、故障分析 （FA） 及車(chē)用半導(dǎo)體測(cè)試，有效掌握從研發(fā)到量產(chǎn)的制程。
面對(duì)高效能運(yùn)算和AI趨勢(shì)，先進(jìn)封裝包括 3DIC 及硅光子技術(shù)，可提高頻寬互連能力。硅光子在高速通信和資料傳輸中具替代傳統(tǒng)電子元件潛力，帶來(lái)高效能、低耗能的資料處理，提高系統(tǒng)整合密度和效率。
筑波科技與美商 Teradyne 合作推廣 ETS 解決功率器件和功率模塊測(cè)試，并利用太赫茲及拉曼檢測(cè)分析技術(shù)，應(yīng)對(duì)非破壞性 Wafer 材料測(cè)試、3DIC 高階封裝的測(cè)試挑戰(zhàn)。誠(chéng)摯邀請(qǐng)業(yè)界先進(jìn)至報(bào)名網(wǎng)站注冊(cè)蒞臨參與。
日期：2024年04月17日（三） 13:00-17:40
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筑波科技 許永周 項(xiàng)目經(jīng)理：第三代半導(dǎo)體Wafer材料測(cè)試與挑戰(zhàn)
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正齊半導(dǎo)體 柳焱佳 技術(shù)總監(jiān)：車(chē)載功率模塊測(cè)試解決方案
筑波科技 官暉舜博士/ 研發(fā)經(jīng)理：3DIC 高階封裝的非破壞性測(cè)試新里程碑
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