4 月 24 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子正探索將混合鍵合技術(shù)用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動(dòng)端處理器。

注：混合鍵合技術(shù)是一種無凸塊（焊球）的直接銅對(duì)銅鍵合技術(shù)。相較采用凸塊的傳統(tǒng)鍵合技術(shù)，混合鍵合可降低上下層芯片間距，提升芯片之間的電信號(hào)傳輸性能，增加 IO 通道數(shù)量。

混合鍵合已在 3D NAND 閃存中使用，未來即將用于 HBM4 內(nèi)存。新項(xiàng)目將是三星首次嘗試在邏輯芯片中應(yīng)用這一鍵合技術(shù)。

報(bào)道指，三星目前將 2026 年下半年設(shè)定為 3D 移動(dòng)處理器的量產(chǎn)時(shí)間，目標(biāo)到時(shí)將每個(gè) IO 端子之間的間距降低至 2 微米，進(jìn)一步提升 IO 數(shù)量。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星電子的代工和先進(jìn)封裝部門已在進(jìn)行合作。

目前尚不清楚混合鍵合 3D 移動(dòng)處理器將在三星自身產(chǎn)品還是代工項(xiàng)目上首發(fā)。未來這一技術(shù)有望擴(kuò)展到 HPC 芯片等其他邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域。