7 月 3 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金屬布線”（metal wiring）中首次嘗試使用鉬（Mo）

注：半導(dǎo)體制造過程中八大工藝分別為：晶圓制造、氧化、光刻、刻蝕、沉積、金屬布線、測試和封裝。

其中金屬布線工藝主要是使用不同的方式連接數(shù)十億個電子元器件，形成不同的半導(dǎo)體（CPU、GPU 等），可以說是“為半導(dǎo)體注入了生命”。

消息人士稱三星公司已從 Lam Research 公司引進了五臺 Mo 沉積機，此外還計劃明年再引進 20 臺設(shè)備。

除三星電子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考慮使用鉬。和現(xiàn)有 NAND 工藝中所使用的六氟化鎢（WF6）不同，鉬前驅(qū)體（molybdenum precursor）是固態(tài)，必須在 600℃ 的高溫下才能升華直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，而這個過程需要單獨的沉積設(shè)備。

三星今年 5 月報道，已經(jīng)啟動了首批第九代 V-NAND 閃存量產(chǎn)，位密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%。

第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 閃存接口“Toggle 5.1”，可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。