今年5月，臺積電（TSMC）首席執(zhí)行官魏哲家來到了ASML的總部，與對方的高層會面。臺積電似乎改變了之前對High-NA EUV光刻技術(shù)的一些看法，外界傳言將加快引入新技術(shù)和新設(shè)備的步伐。隨后ASML向媒體確認(rèn)，今年年底前將向臺積電運送High-NA EUV光刻機。
據(jù)TrendForce報道，臺積電本月將接收首臺High-NA EUV光刻機，移送至其全球研發(fā)中心進行研究，以滿足A14等未來先進工藝的開發(fā)需求。傳聞魏哲家親自與ASML談判并達成了一項協(xié)議，通過購買新設(shè)備和出售舊型號相結(jié)合的方式，將整體價格降低了近20%。
最新報告指出，High-NA EUV光刻機的售價可能超過4億歐元，由于無法拆卸光學(xué)鏡頭組件，設(shè)備比會議室還要高，并且比上一代產(chǎn)品要更長。 臺積電從7nm制程節(jié)點開始引入EUV光刻技術(shù)，目前是全球最大的EUV光刻機擁有者，大概占有著其中65%左右的設(shè)備。
ASML表示，正在推進新的光刻技術(shù)，并在研發(fā)階段獲得了所有EUV客戶的支持，而且這些EUV客戶都已經(jīng)下單購買High-NA EUV光刻機。ASML預(yù)計，High-NA EUV光刻技術(shù)將在2026年轉(zhuǎn)向大規(guī)模生產(chǎn)，具體時間表取決于芯片制造商的工藝成本和其他因素。
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