11 月 21 日消息，據(jù) Business Korea 周二報道，行業(yè)消息稱三星電子正在擴大國內(nèi)外投資，以強化其先進半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標設(shè)備，而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。

業(yè)內(nèi)人士消息稱三星電子今年第三季度簽訂了一筆價值約 200 億韓元（注：當前約 1.04 億元人民幣）的合同，用于為其位于中國蘇州的工廠購置和安裝半導(dǎo)體設(shè)備，以擴充該基地的生產(chǎn)能力。

蘇州工廠是三星唯一的海外測試與封裝生產(chǎn)基地，此舉被認為有助于提升封裝工藝水平和生產(chǎn)效率。設(shè)備交易期間，負責(zé)全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施測試與封裝中心的副總裁李正三被任命為蘇州工廠負責(zé)人，這一職位已空缺近一年。

在韓國國內(nèi)市場，三星也在積極擴充封裝設(shè)施。公司近期與忠清南道及天安市簽訂協(xié)議，計劃在天安建設(shè)一座先進的 HBM 封裝工廠，占地 28 萬平方米，并預(yù)計在 2027 年完成。此外，三星正在日本橫濱建設(shè) Advanced Packaging Lab （APL），專注于研發(fā)下一代封裝技術(shù)。該項目將致力于支持高價值芯片應(yīng)用，如 HBM、人工智能（AI）和 5G 技術(shù)。

這一系列擴展被視為三星縮小與 SK 海力士技術(shù)差距的關(guān)鍵戰(zhàn)略。HBM4 的封裝方式正在從傳統(tǒng)的水平 2.5D 方法轉(zhuǎn)向垂直 3D 堆疊，而三星正在開發(fā)混合鍵合等先進技術(shù)，滿足客戶日益?zhèn)€性化的需求。

業(yè)內(nèi)人士指出：" 三星希望通過第 6 代 HBM 實現(xiàn)突破，未來將在封裝技術(shù)和生產(chǎn)能力上持續(xù)領(lǐng)先。"