12月1日消息，全球?qū)W術(shù)界和工業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計領(lǐng)域最高級別的會議?ISSCC即將于2月16日至2月20日在加利福尼亞州舊金山舉行。三星已宣布將于2月19日在ISSCC期間舉行的“非易失性存儲器和 DRAM”專題活動上，展示其超快的GDDR7顯存，該顯存比旗艦級GDDR6顯存快約 77%。
據(jù)介紹，三星旗艦級GDDR7 DRAM，可以以高達 42.5 Gbps 的速度運行。它將是一個 24 Gb 或 3 GB 模塊，旨在實現(xiàn)最佳的 GDDR7 性能，并且也將比其前身更節(jié)能。GDDR7 DRAM 已經(jīng)比 GDDR6 快得多，但目前，42.5Gbps速率還是太高了，現(xiàn)有的GPU可能還用不了。
盡管如此，它仍有可能進入未來的產(chǎn)品，例如英偉達的 RTX 60 系列卡。目前，英偉達將為其 Blackwell RTX 50 系列 GPU 配備高達 28 Gbps 的 GDDR7 模塊。該速度已經(jīng)比RTX 4090上的旗艦級24 Gbps GDDR6內(nèi)存速度高出4 Gbps。然而，42.5 Gbps的內(nèi)存速度比24 Gbps的GDDR6 DRAM高出約77%。
遺憾的是，我們在大多數(shù) GPU 上都沒有看到 24 Gbps 的 GDDR6 顯存速度，包括 AMD 的旗艦 RX 7900 XTX 和 XT GPU，甚至是英偉達的旗艦 RTX 4090 GPU。這些顯存模塊分別以 20 Gbps 和 21 Gbps 的內(nèi)存速度運行。因此，即使在未來的 GPU 上，42.5 Gbps 也不一定會出現(xiàn)。
目前，英偉達的旗艦產(chǎn)品 Blackwell GeForce RTX 5090 圖形處理器將使用 28 Gbps 內(nèi)存，未來幾代可能會提高到 30 Gbps 以上，就像我們看到 GDDR6 模塊的發(fā)展一樣。
據(jù)報道，RTX 5090 將在 32 位內(nèi)存總線上配備 7 GB 的 GDDR512 內(nèi)存，從而產(chǎn)生 1.7-2.0 TB/s 的內(nèi)存帶寬。這已經(jīng)比 RTX 4090 高出 1.7 到 2.0 倍，理論上，如果 RTX 5090 上的 VRAM 可以達到 42.5 Gbps，則內(nèi)存帶寬將接近 2.5 Gbps。
ISSCC 非易失性和 DRAM 活動上，SK 海力士將展示其最先進的 321 層 4D NAND，該產(chǎn)品最近進入量產(chǎn)狀態(tài)。
