12月9日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在新竹寶山工廠開(kāi)始2nm試產(chǎn)，其良率達(dá)到了60%，超越臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期，除了寶山工廠外，明年上半年臺(tái)積電還計(jì)劃在高雄工廠開(kāi)展2nm試產(chǎn)工作。

據(jù)了解，代工廠批量生產(chǎn)芯片，需要70%甚至更高的良率，按照臺(tái)積電的進(jìn)度，在2nm大規(guī)模量產(chǎn)之前，臺(tái)積電有時(shí)間能將良率提升到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

伴隨著2nm時(shí)代的到來(lái)，其價(jià)格也跟著水漲船高，消息稱臺(tái)積電2nm晶圓的價(jià)格超過(guò)了3萬(wàn)美元，目前3nm晶圓的價(jià)格大概在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元，對(duì)比可見(jiàn)2nm工藝的價(jià)格將會(huì)大幅提升。

值得注意的是，臺(tái)積電的訂單報(bào)價(jià)包含多種因素，和具體的客戶以及訂單量有關(guān)，部分客戶可能會(huì)有些優(yōu)惠，3萬(wàn)美元是一個(gè)較為粗略的數(shù)字。

公開(kāi)報(bào)道顯示，自2004年臺(tái)積電發(fā)布90nm芯片以來(lái)，彼時(shí)晶圓報(bào)價(jià)近2000美元，制程技術(shù)到2016年演進(jìn)至10nm后，報(bào)價(jià)增幅顯著，至6000美元。進(jìn)入7nm、5nm制程世代后，報(bào)價(jià)破萬(wàn)，5nm更是高達(dá)16000美元，且該統(tǒng)計(jì)價(jià)格尚未計(jì)入臺(tái)積電2023年6%的漲幅。

在今年10月份，高通、聯(lián)發(fā)科旗艦芯片全部轉(zhuǎn)向3nm工藝制程，相關(guān)終端掀起了一輪漲價(jià)潮，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，由于先進(jìn)制程報(bào)價(jià)居高不下，芯片廠商成本高企，勢(shì)必將成本壓力轉(zhuǎn)嫁給下游客戶或終端消費(fèi)者。

值得注意的是，臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)將首度使用Gate-all-around FETs晶體管，另外N2工藝還能搭配NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了靈活的標(biāo)準(zhǔn)元件。

與現(xiàn)有的N3E工藝相比，預(yù)計(jì)N2工藝相同功率下性能會(huì)有10%到15%的提升，或者在相同頻率下功耗會(huì)下降25%到30%，同時(shí)晶體管密度將提升15%。