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美對華成熟制程芯片發起301調查

2024-12-24
來源:芯智訊

當地時間12月23日,美國拜登政府通過白宮官網宣布,已要求美國貿易代表辦公室發起301條款調查,以審查中國將基礎半導體(也稱為傳統或成熟制程芯片)作為主導地位的目標以及對美國經濟的影響。

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美國貿易代表辦公室(USTR)也發布公告稱,有證據表明,中國尋求在半導體行業主導國內和全球市場,并采取廣泛的反競爭和非市場手段,包括設定和追求市場份額目標,以實現本土化和自給自足。中國的行為、政策和做法似乎對美國和其他經濟體產生有害影響并有可能造成不利影響,破壞美國工業和工人的競爭力、關鍵的美國供應鏈和美國的經濟安全。

該“301調查”最初將側重于中國的基礎半導體(也稱為傳統或成熟節點半導體)的制造,包括它們作為組件納入國防、汽車、醫療設備、航空航天、電信、發電和電網等關鍵行業的下游產品。該調查還將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅(SiC)襯底(或用作半導體制造投入的其他晶圓)生產的影響是否會導致對美國商業的任何不合理或歧視或負擔或限制。

資料顯示,所謂“301調查”是指,美國依據《1988年綜合貿易與競爭法》第301條款進行的調查。該條款最早見于《1974年貿易法》第301條,后經多次修訂和擴展,形成了包括“一般301條款”、“特別301條款”、“超級301條款”和“306條款監督制度”在內的301條款制度。301調查的主要目的是保護美國在國際貿易中的權利,對其他國家被認為存在“不合理”、“不公平”貿易做法的行為進行調查,并可能采取提高關稅、限制進口、停止有關協定等報復措施。

美國貿易代表辦公室接下來將征求公眾意見,并將就此調查舉行公開聽證會。有關調查的評論案卷將于 2025 年 1 月 6 日開放。

據外媒引用拜登政府官員的說法表示,針對中國成熟制程半導體的“301條款調查”,將會在下一任總統特朗普于1月20日就職前啟動,而結果則是將于2025年1月底移交給特朗普政府。基于該調查結果,特朗普政府可能將進一步開始對中國進口半導體產品征收他所威脅的60%的高額關稅。

需要指出的是,拜登政府此前已經對中國生產的多晶硅等產品征收了50%的關稅,而且該關稅也將于2025年的1月1日開始生效。

成熟制程市場格局:美國也在大力發展

根據TrendForce的今年11月公布的數據顯示,2023年中國臺灣地區的先進制程產能占比高達71%,但是隨著美國、日本等地區紛紛推出巨額“芯片補貼”以吸引先進制程半導體廠商(比如臺積電)在其本土進行投資建廠,美國的占比將會從2023年的9%,大幅增長至2027年21%;日本也將由2023年0,增長至2027年的4%。屆時,中國臺灣地區的先進制程占比將在2027年萎縮至54%。

相比之下,而中國大陸至于中國大陸由于受到美日荷對于先進半導體設備的出口管制,使得先進制程產能的增長受到了限制,預計2027年在全球先進制程當中的產能占比將由2023年的8%降低至6%。

在成熟制程產能占比方面,2023年中國臺灣地區的占比也是高達45%,而中國大陸地區占比31%,韓國占比8%,美國占比5%,日本占比2%。雖然表面上來看,中國大陸地區目前的成熟制程占比并不低,但是這也正是因為受到了美國對于中國大陸先進制程發展的持續打壓,使得中國發展先進制程受限,采不得不發展成熟制程,以應對本土市場對于成熟制程芯片的龐大需求。

雖然目前人工智能(AI)芯片、智能手機處理器、PC處理器、汽車自動駕駛芯片這類高性能計算芯片都依賴于先進制程制造工藝,但是AI服務器、智能手機、PC當中成熟制程芯片仍占據著絕對數量,更為廣泛的家電、網絡等IT產品當中也都遍布著成熟制程芯片。TrendForce的數據顯示,2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm以上)產能比將維持在70%。

從具體的廠商成熟制程產能占比來看,根據Knometa Research的數據(成熟制程:20nm-0.11μm邏輯制程,>20nm DRAM;大線寬制程:≥0.13μm)顯示,2022年,臺積電則以20%的份額位居全球成熟制程產能第一,排名第二的三星份額為9%,聯電份額也為9%,中芯國際憑借持續擴產,份額也達到了8%。排名第五的則是圖像傳感器大廠索尼,份額為7%。在更大線寬制程產能當中,美國模擬芯片大廠德州儀器以11%的份額位居第一,排名第二的臺積電份額為10%,聯電份額為7%,意法半導體份額為5%,中芯國際份額為5%。

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如果以成熟制程芯片當中最具代表性的MCU市場來看,根據IC Insights的數據顯示,2021年全球前十大MCU廠商當中,恩智浦以18.8%份額位居第一,緊隨其后的分別是Microchip(17.8%)、瑞薩電子(17%)、意法半導體(16.7%)和英飛凌(11.8%)。

Yole Group的報告也顯示,近年來,英飛凌、瑞薩電子、恩智浦、意法半導體、Microchip等領先的芯片公司繼續主導著MCU市場,它們之間只有很小的差異。同樣,在汽車和工業MCU市場也是如此。這些廠商都是IDM廠商,同時一些也有將部分產品外包給外部代工廠生產。雖然中國的MCU廠商近年來發展也很快,但是在全球市場當中的份額仍較小。

顯然,從上面的數據來看,雖然近年來中國大陸目前成熟制程芯片的總體產能占比得到了快速提升,但是中國臺灣地區仍占據了最大的產能。如果從頭部的成熟制程芯片品牌廠商來看,歐洲廠商則占據了主導地位,其次是美國和日本。

美國很早就意識到了成熟制程芯片的重要性,特別是在疫情期間,成熟制程芯片供應鏈中斷,嚴重影響了汽車市場。當時美國及歐盟還特別要求臺積電增加成熟制程產能供給汽車芯片。隨后,美國出臺的配套有超過520億美元補貼資金的《芯片與科學法案》,在大力發展先進制程的同時,也為眾多的成熟制程芯片制造項目提供了補貼。

根據美國半導體行業協會(SIA)的數據顯示,在美國《芯片與科學法案》的刺激下,截至2024年8月,半導體生態系統中的公司已經在美國宣布了 90 多個新的制造項目,宣布在28個州的投資總額接近4500億美元。而這其中除了臺積電、英特爾和三星在美國的芯片制造項目屬于先進邏輯制程外,而其他項目很多都是面向成熟制程的。

美國此前在出臺《芯片與科學法案》之時就有指出,用于半導體制造補貼的390億美元當中,至少20億美元將用于支持成熟制程芯片的生產。比如,近期美國宣布向博世提供2.25億美元補貼,以支持其加州碳化硅工廠擴建;向德州儀器提供16.1億美元補貼,以支持其兩個位于德克薩斯州和一個位于猶他州的晶圓廠建設;向成熟制程晶圓代工廠格芯 (GlobalFoundries)提供15億美元補貼,以支持其擴產。

值得注意的是,成熟制程的芯片大廠Microchip在與美國商務部達成初步的補貼協議之后,近期計劃放棄申請1.62億美元補貼。此舉主要是由于客戶需求減少、產能過剩,Microchip的俄勒岡州廠已兩度停工,并計劃關閉在亞利桑那州的工廠,約500名員工將面臨被裁員。

除了美國之外,目前日本、歐盟、印度等地也都在積極的提供補貼來提升本土的芯片制造產能,其擴大成熟制程也是重要一環。

顯然,美國及其盟友本身在先進制程領域占據優勢的同時,還依然在通過巨額補貼來發展成熟制程產能,卻對于發展先進制程受到美國及其盟友打壓而被迫轉向發展成熟制程產能的中國大陸橫加指責,實屬“耍流氓”。

碳化硅襯底也成了調查重點

碳化硅是一種由硅和碳組成的化合物半導體材料,具有寬帶隙、高電子遷移率、高熱導率和強電場擊穿強度等特點,是主要的第三代半導體材料。這些獨特的物理性質使得碳化硅器件在高溫度、高頻率、高電壓以及高功率應用中表現出比傳統硅器件更優異的性能。

具體來說,碳化硅器件可以在高達600°C的溫度下穩定工作,其電阻率幾乎保持不變(約0.03Ω·cm),所以它不僅耐高溫,且散熱性能也非常好。而傳統硅器件的工作溫度上限通常在150°C左右;碳化硅寬能隙特性使其具有更低的導通和開關損耗,從而提高了能源轉換效率;碳化硅的高電子遷移率使得器件能在高頻應用中表現出低損耗和高速度的特點;碳化硅器件還能夠承受比硅器件更高的電壓,可靠性更高,并且有助于減小器件尺寸和系統成本。

得益于碳化硅器件所帶來的優勢,以及近年來中國新能源汽車產業的快速發展,也推動了碳化硅器件在國產新能源汽車上的快速采用,進而帶動了國產碳化硅襯底及器件產業的發展,但是與國際巨頭相比仍有較大差距。

比如,從SiC功率器件市場格局來看,目前主要是被國產廠商所壟斷。根據TrendForce數據顯示,在2023年全球碳化硅功率器件市場,意法半導體(ST)以32.6%市占率位居第一,安森美(onsemi)則由2022年的第四名躍居第二名,市場份額為23.6%。緊隨其后的則是英飛凌(Infineon,16.5%)、Wolfspeed(11.1%)、羅姆半導體(ROHM,8%)。這前五大國外SiC功率器件供應商約占整個市場營收的91.9%。

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從這些頭部的SiC功率器件廠商的產能規劃來看,目前他們都在持續擴大碳化硅襯底/器件的產能。比如Wolfspeed計劃投入65億美元來擴大碳化硅襯底產能;羅姆計劃投資37億美元擴產;安森美計劃投資20億美元擴產;英飛凌的目前規劃的總投資也是達到了50億歐元;意法半導體與中國三安集團合作,計劃投資約200億元人民幣擴產;博世計劃投資15億美元擴產。顯然,國外這些碳化硅器件巨頭擴產的投資規模都很大。

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相比國際巨頭的巨資擴產,中國國內碳化硅襯底廠商的投入也在持續擴大,比如天科合達、露笑科技、三安光電等。根據現有數據統計,目前國產的碳化硅襯底的產能規劃投資總計約1000億元人民幣。不過,目前中國碳化硅襯底產能投資過于分散,頭部企業也不夠強。


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從具體的國產SiC襯底規劃產能來看,根據預測,到2026年,國內整個SiC襯底的產能規劃大概是468萬片/年(折合6英寸晶圓)。需要指出的是,以上只是規劃產能,并不代表最終都能投產。特別是在目前碳化硅襯底市場競爭激烈,價格持續下滑的背景之下。

總體來看,目前國內整個碳化硅產業鏈是比較分散的,雖然可能在碳化硅襯底或者外延部分現在已經形成了一些規模,但如果沒有強大的碳化硅器件廠商來支持,將會陷入低價內卷。而在SiC功率器件方面,特別是車規級SiC功率器件這一塊,目前國產SiC MOSFET出貨銷售額基本是在幾千萬的水平,對比國外的巨頭,出貨量及銷售額差距仍是非常巨大。

中國商務部回應:將采取一切必要措施

北京時間12月23日晚間,中國商務部新聞發言人就美對中國芯片產業相關政策發起301調查發表談話,表示對美方做法強烈不滿,堅決反對。

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商務部還指出,中國產芯片僅占美市場份額的1.3%。中國芯片對美出口,遠低于自美進口。同時,敦促美方尊重事實和多邊規則,立即停止錯誤做法。中方將密切關注調查進展,并將采取一切必要措施,堅決捍衛自身權益。”


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