1月26日消息，據日經新聞報道，中國封測廠商通富微電已經宣布試生產 HBM2 工藝，而在此之前，中國存儲器制造商長鑫存儲也已經開始生產 HBM2。
HBM是高帶寬內存芯片，其基于多顆DRAM芯片通過先進封裝工藝堆疊而成，主要面向高性能AI芯片應用。比如英偉達、AMD、英特爾的AI芯片封裝內都有集成HBM芯片。但是由于美國對華半導體限制政策，海外HBM芯片的對華出口收到了限制，這也使得中國AI芯片的發展就必須要依賴于國產HBM廠商的突破。
通富微電是全球第三大第三大半導體封裝和測試服務提供商，具備先進封裝能力，不過此前其并未有提供HBM芯片的封裝服務。據報道稱，他們很可能正在利用第三方來源的存儲器和半導體必需品，然后利用自己的專業知識組裝 HBM2 芯片。
需要指出的是，目前SK海力士最先進的HBM芯片即將進展到了HBM4，HBM2與之相比落后了兩代，但即便如此，這對于中國來說也是突破。
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