2 月 21 日消息，應用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日發布博文，宣布推出新型芯片檢測設備 SEMVision H20，速度提升三倍，助力提升先進制程芯片良率。

技術背景

注：電子束成像技術一直是檢測光學技術無法識別的微小缺陷的重要工具。其超高分辨率能夠在數十億個納米級電路圖案中分析最細微的缺陷。

傳統上，光學技術用于掃描晶圓以查找潛在缺陷，然后使用電子束技術對這些缺陷進行更詳細的表征。

在新興的“埃米時代”，最小的芯片特征可能只有幾個原子厚，區分真正的缺陷和誤報變得越來越困難。

SEMVision H20 創新

SEMVision H20 采用第二代冷場發射電子顯微鏡技術（CFE）技術，分析速度是熱場發射（TFE）設備的三倍，也是第一代 CFE 技術的兩倍。

應用材料的“冷場發射”（CFE）技術是電子束成像領域的一項突破，可實現亞納米級分辨率，用于識別最小的隱藏缺陷。相比于傳統的熱場發射（TFE）技術，CFE 在室溫下運行，產生更窄、電子更多的電子束，從而使納米級圖像分辨率提高多達 50%，成像速度提高多達 10 倍。

更快的成像速度提高了每個晶圓的覆蓋率，使芯片制造商能夠在三分之一的時間內收集相同數量的信息。

該設備使用更窄的電子束，讓其能夠深入芯片底部進行檢測，對于 2 納米以下先進邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND 至關重要。

隨著芯片制程不斷推進，光學檢測技術逐漸難以滿足需求，電子束檢測的應用范圍正在擴大。SEMVision H20 能夠滿足先進制程芯片的檢測需求，例如 2 納米以下邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND。

SEMVision H20 還使用深度學習 AI 算法，能分析趨勢，找出真正的缺陷，最終提高芯片制造商的良率。應用材料專有的深度學習網絡使用來自芯片制造商工廠的數據進行持續訓練，并將缺陷分類到包括空洞、殘留物、劃痕、顆粒和其他數十種缺陷類型的分布中，從而實現更準確、更高效的缺陷表征。

SEMVision H20 可用于所有前端工藝。這款設備的推出，標志著芯片檢測技術的一大進步，將有助于推動先進制程芯片的研發和生產。