2025年3月13日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的展示板圖
在實現(xiàn)“雙碳”目標的大背景下，風能、光伏等綠色能源形式正逐步成為推動可持續(xù)發(fā)展的核心動力。然而，自然界的能源供給存在固有的不穩(wěn)定性，這要求新能源系統(tǒng)在存儲與利用過程中必須依賴高效的儲能解決方案，以有效平衡供需波動，降低不確定性影響。氮化鎵作為半導體領域的明星材料，憑借其超高頻、超低損耗的卓越性能，顯著提升了能源轉換效率與利用水平，在儲能技術領域展現(xiàn)出重要價值。針對這一趨勢，大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片推出2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案，可以降低系統(tǒng)損耗。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的場景應用圖
儲能系統(tǒng)采用氮化鎵，一方面可以提升效率，降低損耗，實現(xiàn)無風散熱，節(jié)省風扇，從而提升系統(tǒng)可靠性和壽命；另一方面還能提升開關頻率，減小感性和容性等無源器件尺寸來構建更小、更輕的產品。
本方案采用All GaN器件，包括前端AC/DC無橋圖騰柱PFC和后端DC/DC隔離全橋LLC轉換器，支持單雙向工作模式。在無橋PFC部分，本方案采用4顆英諾賽科旗下INN650TA030C芯片、LLC原邊高壓側搭載4顆INN650TA050C、副邊低壓側配備8顆INN100EQ016A、高壓管驅動器搭配自研的INS1001DE，與傳統(tǒng)IGBT/Si方案相比，本方案可以提供更快的開關速度、更小的開關損耗，從而保持更小的系統(tǒng)體積和更高的效率。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的方塊圖
此次推出的All GaN器件2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案，不僅是大聯(lián)大對當前市場需求的精準回應，更是公司對綠色、高效、智能能源體系的前瞻布局。未來，大聯(lián)大將秉持開放合作的理念，攜手更多志同道合的伙伴，共同加速新能源產業(yè)的革新步伐，為實現(xiàn)全球碳中和的宏偉目標注入強勁動能。
核心技術優(yōu)勢：
整流和逆變峰值效率96.1%，相較IGBT/Si方案，系統(tǒng)損耗減少40%；
PFC工作頻率65KHz、LLC諧振頻率200KHz、相較IGBT/Si方案，系統(tǒng)功率密度提升1倍。
方案規(guī)格：
整流：輸入電壓范圍為180Vac~264Vac，輸出48V/41.6A，滿載最大功率2000W，峰值效率高達96.1%@50%負載；
逆變：輸入電壓范圍為45Vdc~55Vdc，輸出220Vac/9.1A，最大穩(wěn)態(tài)工作功率2000W，峰值效率高達96%@50%負載；
PCBA尺寸：248mm×120mm×45mm；
開關頻率：
PFC：65KHz；
LLC：200KHZ；
高功率密度：2.447W/inch?；
保護功能齊全：輸入過壓保護/欠壓保護/輸入過流保護/輸出短路及過流過壓保護/過溫保護。
本篇新聞主要來源自大大通：
基于InnoGaN INN650TA030C & INN650TA050C 設計的2KW 48V雙向ACDC儲能電源方案
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