5月29日消息，近日，臺積電重申，1.4nm級工藝技術不需要高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機，目前找不到非用不可的理由。

臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其長期以來對下一代高NA EUV光刻設備的立場。該公司的下一代工藝技術，包括A16（1.6納米級）和A14（1.4納米級）工藝技術，不需要這些最高端的光刻系統。

因此，臺積電不會在這些節點上采用高數值孔徑EUV設備。

“人們似乎總是對臺積電何時會使用高數值孔徑 (High-NA) 感興趣，我認為我們的答案很簡單，”臺積電副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁張曉強 (Kevin Zhang) 在活動上表示。

“只要我們發現高數值孔徑 (High-NA) 能夠帶來有意義的、可衡量的效益，我們就會采用。對于A14 來說，我之前提到的性能提升在不使用高數值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術團隊正在持續尋找延長現有EUV壽命的方法，同時獲得微縮優勢。”

臺積電的A14工藝基于其第二代納米片環柵晶體管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的標準單元架構。

據臺積電稱，A14 在相同功率和復雜度下性能提升高達15%，或在相同頻率下功耗降低25%至30%。

“這是我們技術團隊的一項偉大創新，”張曉強說。“只要他們繼續尋找方法，顯然我們就不必使用高數值孔徑EUV。最終，我們會在某個時候使用它。只是我們需要找到一個合適的攔截點，提供最大的效益，實現最大的投資回報。”

據了解，ASML最新一代的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機是目前世界上最先進光刻機，單價高達4億美元，如此高昂的價格讓很多廠商望而卻步。

截至目前，ASML已向客戶交付總共5臺，包括Intel、三星。 其重達180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導體制造設備之一。