臺(tái)積電正加快步伐向2nm芯片時(shí)代邁進(jìn)。

根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》最新報(bào)道，這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%，不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻，更顯著領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的40%良率水平，顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。

近年來，臺(tái)積電憑借從5nm到3nm制程的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，穩(wěn)坐全球晶圓代工龍頭地位。在先進(jìn)制程競(jìng)賽中，盡管三星與英特爾持續(xù)投入資源試圖追趕，但臺(tái)積電憑借雄厚的研發(fā)投入與穩(wěn)健的技術(shù)演進(jìn)節(jié)奏，始終保持領(lǐng)先。

此次2nm制程的突破，被認(rèn)為是臺(tái)積電未來數(shù)年?duì)I收成長的關(guān)鍵動(dòng)能。

據(jù)悉，蘋果、NVIDIA 與 AMD 等科技巨頭已經(jīng)預(yù)定了臺(tái)積電的2nm產(chǎn)能，其中 AMD 更已宣布旗下下一代 EPYC Venice 伺服器處理器將采用臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)，這也標(biāo)志著業(yè)界首個(gè)明確采用該技術(shù)的產(chǎn)品正式曝光。

雖然三星電子早期在GAA（環(huán)繞式柵極晶體管）技術(shù)上搶先布局，但在實(shí)際良率與客戶采用方面卻遲遲未能取得關(guān)鍵突破。目前三星雖表示其2nm制程也在逐步提升良率，但短期內(nèi)仍難以撼動(dòng)臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。若未來能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，三星或有望成為次要供應(yīng)商角色。

整體來看，臺(tái)積電憑借更高的良率、更穩(wěn)定的制程與強(qiáng)大的客戶信任，極可能在2nm世代繼續(xù)鞏固其全球芯片市場(chǎng)的霸主地位，也將進(jìn)一步拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的技術(shù)差距。隨著AI、高性能運(yùn)算與移動(dòng)終端對(duì)先進(jìn)制程需求持續(xù)上升，2nm將成為產(chǎn)業(yè)兵家必爭(zhēng)的下一個(gè)關(guān)鍵戰(zhàn)場(chǎng)。