【2025年6月18日, 德國慕尼黑訊】隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年，電動汽車的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長，從2024年的20%增長至45%左右 ^[1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 EDT3（第三代電力傳動系統(tǒng)）芯片，以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動系統(tǒng)的性能，尤其適用于汽車應(yīng)用。

EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提供高質(zhì)量而可靠的性能而設(shè)計(jì)，助力客戶開發(fā)定制功率模塊。新一代EDT3較EDT2 有了顯著的進(jìn)步，其在高負(fù)載下的總損耗減少了20%，同時(shí)保持了低負(fù)載下的效率。這一進(jìn)步得益于大幅減少芯片損耗和提高最高結(jié)溫的優(yōu)化措施，使得芯片在高負(fù)載性能和低負(fù)載效率之間實(shí)現(xiàn)了平衡。因此，使用EDT3芯片的電動汽車能夠?qū)崿F(xiàn)更長的續(xù)航里程并降低能耗，從而提供更加可持續(xù)且經(jīng)濟(jì)高效的行駛體驗(yàn)。

英飛凌科技汽車高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示：“作為領(lǐng)先的IGBT技術(shù)供應(yīng)商，英飛凌致力于提供性能與可靠性出眾的產(chǎn)品。EDT3解決方案基于我們對創(chuàng)新與低碳化的不懈追求，助力客戶在其諸多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)理想的結(jié)果。”

EDT3芯片組提供750 V和1200 V兩種電壓等級，其輸出電流高，適合純電動汽車、插電式混合動力電動汽車、增程式電動汽車（REEV）等各種電動汽車中的主逆變器應(yīng)用。產(chǎn)品縮小了芯片尺寸并優(yōu)化了設(shè)計(jì)，便于制造更小的模塊，降低了整體系統(tǒng)成本。此外，其最大虛擬結(jié)溫為185°C，最大集電極-發(fā)射極額定電壓為750 V和1200 V，適合高性能應(yīng)用。通過該產(chǎn)品，汽車制造商能設(shè)計(jì)出更加高效、可靠的動力傳動系統(tǒng)，幫助延長行駛里程并減少排放。

臻驅(qū)科技創(chuàng)始人兼總經(jīng)理沈捷博士表示：“英飛凌作為臻驅(qū)科技的主要 IGBT 芯片供應(yīng)商和合作伙伴，始終如一地為我們提供實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)勢的創(chuàng)新解決方案。最新的EDT3芯片優(yōu)化了損耗和損耗分布，支持更高的工作溫度，并提供多種金屬化選項(xiàng)。這些特性不僅減少了每安培所需的硅片面積，還加速了先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用。"

1200 V RC-IGBT 通過在單芯片上集成IGBT 和二極管功能提升了性能，與分離的 IGBT 和二極管芯片組解決方案相比，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度。這一進(jìn)步帶來了系統(tǒng)成本優(yōu)勢，得益于更高的電流密度、可擴(kuò)展的芯片尺寸以及降低的組裝工作量。

英飛凌最新的EDT3 IGBT芯片技術(shù)現(xiàn)已集成到 HybridPACK? Drive G2汽車功率模塊中，為整個(gè)模塊產(chǎn)品組合提供更強(qiáng)大的性能與功能。該模塊在750 V和1200 V功率等級下可提供最高250 kW 的功率范圍，提高了易用性。其下一代相電流傳感器集成選項(xiàng)、片上溫度傳感器等新功能有助于降低系統(tǒng)成本。

所有芯片產(chǎn)品均提供定制芯片布局，包括片上溫度和電流傳感器。此外，英飛凌還可根據(jù)要求提供適用于燒結(jié)、焊接和鍵合的金屬化選項(xiàng)。

供貨情況 

EDT3和RC-IGBT新品現(xiàn)已提供樣品。

[1] 英飛凌估算值