7月17日消息，據(jù)國(guó)光量子介紹，近日國(guó)光量超在量子芯片制造領(lǐng)域取得重大突破，推出4英寸1nm精度離子束刻蝕機(jī)。

該設(shè)備將為量子芯片生產(chǎn)帶來(lái)前所未有的精度和效率提升，有望推動(dòng)我國(guó)量子計(jì)算高精度芯片的進(jìn)一步提升。

離子束刻蝕機(jī)是量子芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，通過(guò)使用高能離子束精確去除材料，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片微觀結(jié)構(gòu)的精細(xì)加工。

國(guó)光量超的這款離子束刻蝕機(jī)采用了自主研發(fā)的先進(jìn)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)亞納米級(jí)別的刻蝕精度，滿足量子芯片對(duì)微小尺寸和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的嚴(yán)格要求。

同時(shí)，該設(shè)備還具備高穩(wěn)定性和高效率的特點(diǎn)，能夠大幅縮短量子芯片的生產(chǎn)周期，降低制造成本。

國(guó)光量超的離子束刻蝕機(jī)還具備多項(xiàng)創(chuàng)新特性，包括獨(dú)特的離子源設(shè)計(jì)、高精度的束流控制系統(tǒng)和自動(dòng)化的工藝監(jiān)測(cè)功能，能夠有效提高刻蝕過(guò)程的可控性和一致性，進(jìn)一步提升量子芯片的性能和良品率。

量子計(jì)算作為下一代計(jì)算技術(shù)的核心，具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

然而，量子芯片的制造一直是該領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸之一，對(duì)設(shè)備精度和工藝要求極高。國(guó)光量超的離子束刻蝕機(jī)的推出，將有效解決這一難題，為我國(guó)量子芯片的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用提供有力支持。

此次國(guó)光量超離子束刻蝕機(jī)的成功推出，有望加速量子計(jì)算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，徹底解除量子計(jì)算芯片生產(chǎn)的瓶頸。