7月23日，據臺媒Digitimes報道，中國DRAM廠商長鑫存儲（CXMT）正在積極推進其DDR5和LPDDR5 DRAM工藝升級。供應鏈消息人士透露，長鑫存儲的樣品近期已通過測試，質量已經與南亞科技的產品相當，目標2025年底量產。

報道稱，長鑫存儲在2024年年底開始生產其 DDR5 內存，不過長鑫存儲當時使用的可能是其相對落后的第 4 代 DRAM 工藝節點（特征尺寸約為16nm，相當于三星2021年推出的第 3 代 10nm 級節點DDR5）來制造其 16 GB DDR5芯片，這就是為什么與三星生產的 16GB DDR5 芯片相比要大40%的原因。這意味著，與三星的DDR5芯片相比，長鑫存儲DDR5芯片的制造成本要高得多，這使得長鑫存儲DDR5芯片在市場競爭當中處于弱勢，且無利可圖。

成本并不是長鑫存儲DDR5芯片面臨的唯一問題。報道稱，長鑫存儲DDR5樣品的早期測試暴露了60°C左右的穩定性問題（緊密封裝系統中DDR5內存模塊的常見溫度），以及在零下溫度下運行的問題。這些問題阻礙了基于長鑫存儲 DDR5芯片的模組達到可靠性標準。

因此，長鑫存儲不得不改變其DDR5的設計，以至于必須制造新的光掩模，以解決在高溫或低溫下運行的問題。這也使得長鑫存儲不得不推遲其新版的 DDR5 內存的量產。

DigiTimes 報道稱，內部人士最初預計量產將在 2025 年 5 月或 6 月左右開始，但到 7 月，還沒有證據表明已成功量產。事實證明，盡管發熱問題取得了進步，但長鑫存儲生產線上DDR5的良率仍然相對較低，徘徊在50%左右，這對于商用DRAM來說是不可接受的。

供應鏈消息人士表示，長鑫存儲需要更多的改進和運營經驗才能達到與行業平均水平具有競爭力的良率，這將進一步延遲其批量生產時間。目前，長鑫存儲的目標是到 2025 年底大規模制造 DDR5。

最近對基于長鑫存儲新版DDR5芯片的模塊的測試表明，其質量和性能有了顯著飛躍，據說幾乎與中國臺灣的南亞科技同類產品相當。如果這些產品經過領先的 PC 制造商或模塊廠商的驗證，將表明長鑫存儲正在縮小與成熟 DRAM 供應商的差距。當然，由于良率問題，這些部件尚未進入大批量生產，因此就目前而言，長鑫存儲很難被視為DDR5市場上強有力的競爭對手。