9月19日消息，據(jù)Tom's hardware報道，臺積電作為全球最大的先進(jìn)制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進(jìn)的制程工藝，也擁有著數(shù)量最多的ASML EUV光刻機(jī)。自2019年以來，臺積電通過自身的系統(tǒng)級優(yōu)化及自研EUV光罩保護(hù)膜（Pellicle，保護(hù)光罩的薄膜）材料，EUV生產(chǎn)晶圓產(chǎn)量累計增加30倍，同時電力消耗也減少24%。

自2019年第二代7nm技術(shù)量產(chǎn)之時，臺積電就率先引入了ASML EUV光刻機(jī)進(jìn)行量產(chǎn)，隨后臺積電持續(xù)控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機(jī)裝機(jī)量，經(jīng)過多年的積累，臺積電目前已經(jīng)累積了約200多臺EUV光刻機(jī)，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)需要。

臺積電核心優(yōu)勢來自硬體設(shè)備及材料供應(yīng)鏈掌控力，因此臺積電還持續(xù)投資制程工藝優(yōu)化，包括曝光劑量微調(diào)、曝光材料改良及預(yù)測性維護(hù)，這也大幅提升每日機(jī)臺利用率與生產(chǎn)效率。

據(jù)Digitimes報道，臺積電甚至計劃改造一座200毫米工廠來專門生產(chǎn)自研EUV光罩保護(hù)膜，性能甚至超過了ASML原廠供應(yīng)的EUV光罩保護(hù)膜，展現(xiàn)臺積電制程與材料整合實力。

設(shè)備業(yè)者指出，EUV光刻機(jī)相較傳統(tǒng)的深紫外（DUV）光刻機(jī)，光罩及保護(hù)膜等都須進(jìn)一步調(diào)整，保護(hù)膜一直是半導(dǎo)體制程中防止塵粒污染的關(guān)鍵保護(hù)機(jī)制。

而且，進(jìn)入EUV光刻時代后，過去廣泛使用的有機(jī)Pellicle，因無法兼具透光率與穩(wěn)定性，已不再適用。目前EUV制程大多采用“無pellicle”的光罩，導(dǎo)致必須頻繁進(jìn)行圖樣檢查。 一旦發(fā)現(xiàn)缺陷，不僅需修復(fù)或重制光罩，生產(chǎn)成本也大增并降低速度。因此，包括ASML等半導(dǎo)體業(yè)者近年也投入EUV光罩保護(hù)膜的研發(fā)，但由于技術(shù)難度高，尚未實現(xiàn)量產(chǎn)。

而臺積電研發(fā)EUV光罩保護(hù)膜已有多年，這主要是因為評估EUV光罩保護(hù)膜對于7nm以下制程生產(chǎn)效率與成本降低極為重要，因此近期決定正式加速自研計劃。

近期，臺積電宣布退出GaN市場，凸顯大陸GaN廠商的低價戰(zhàn)已對其造成極大競爭壓力，臺積電原有的6英寸GaN廠也將改建為先進(jìn)封裝廠，暫以CoPoS為主。而最受關(guān)注的就是竹科8英寸晶圓廠大幅調(diào)整，其中，竹科Fab 3將有望正式投入臺積電自研EUV光罩保護(hù)膜的生產(chǎn)，以減少對ASML相關(guān)供應(yīng)鏈的依賴。臺積電希望以自身研發(fā)與生產(chǎn)能力，全面提升EUV先進(jìn)制程良率，創(chuàng)造最低成本、最高效益的制程和產(chǎn)品。

數(shù)據(jù)顯示，臺積電EUV光罩保護(hù)膜壽命增加了4倍，單片晶圓生產(chǎn)效率提升了4.5倍，瑕疵品大幅降低。

熟悉半導(dǎo)體制程技術(shù)人士認(rèn)為，相較于競爭對手仍高度依賴ASML的EUV光刻機(jī)和EUV光罩保護(hù)膜推進(jìn)先進(jìn)制程技術(shù)，臺積電自制EUV光罩保護(hù)膜，可將現(xiàn)有EUV制程再優(yōu)化，拉升了生產(chǎn)良率與擴(kuò)大產(chǎn)能，在成本結(jié)構(gòu)上取得優(yōu)勢，且提升獲利，進(jìn)一步擴(kuò)大與競爭對手的差距。