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基于C語言和GEL語言的Flash編程新方法
摘要: 以TMS320VC5402為例,探討一種綜合運用C語言、數據文件及GEL語言的Flash編程新方法。該方法完全采用C語言編寫燒寫程序,解決了指針不能訪問高端Flash的問題;把引導表作成數據文件,可實現大引導表的分批次加載;通過GEL程序控制C程序執行,較好地體現了Flash編程的流程。
Abstract:
Key words :

摘要 以TMS320VC5402為例,探討一種綜合運用C語言、數據文件及GEL語言的Flash編程新方法。該方法完全采用C語言編寫燒寫程序,解決了指針不能訪問高端Flash的問題;把引導表作成數據文件,可實現大引導表的分批次加載;通過GEL程序控制C程序執行,較好地體現了Flash編程的流程。
關鍵詞 TMS320VC5402 Flash 引導表 通用擴展語言 GEL
引言
  在DSP應用系統開發的后期,一般需要將用戶程序寫進Flash等非易失性存儲器,以便采用并行引導的方法實現用戶程序的自舉加載。這一步驟稱為“燒寫”;針對Flash的燒寫又稱為Flash編程。以往的編程方法大多采用匯編語言編寫程序,可讀性較差,并將引導表的制作也放在程序中實現;用戶程序一變,燒寫程序就得重新編寫,不具有通用性。參考文獻[1]采用C語言完成Flash讀寫,較清晰地體現了Flash編程的思想,但是它采用指針訪問Flash空間,不能對高端Flash(64 K字存儲空間以外)進行訪問,且將引導表作成數組的方法仍顯機械。
  這里提出的Flash編程方法完全采用C語言編寫燒寫程序,運用函數地址訪問高端Flash,借助數據文件將引導表加載到數據空間。GEL(General Extension Language,通用擴展語言)作為一種程序擴展語言,被廣泛用于調試及程序運行環境的定制。這里將GEL語言運用于Flash編程,可以控制C程序在數據加載完成后執行燒寫過程,從而實現大引導表的燒寫。
1 DSP開發板及Flash存儲器
  筆者使用的DSP開發板上有1片TMS320VC5402通用DSP芯片、1片SST39VF400A存儲芯片(Flash)、鍵盤和液晶顯示器等。其中Flash容量為256 K字(1字=16位),組織為128個扇區或8個塊。為充分發揮Flash容量大的特點,本系統在硬件上將Flash空間的映射設計為:在上電自舉過程中,Flash空間的0x04000~0x0FFFF映射到數據空間的0x4000~0xFFFF;上電自舉完成后,整個Flash空間0x00000~0x3FFFF映射到程序空間的0x80000~0xBFFFF,即映射到了TMS320VC5402的擴展程序空間,處于高地址,因此稱為“高端Flash”。由此可知,對系統進行應用開發時,Flash總是表現為高端Flash。

圖1 Flash編程流程
2 Flash編程流程
  用戶程序一般以可執行COFF(公共目標文件格式)文件格式存在(后綴名為.out),Flash編程所要完成的就是將此可執行文件轉換成特定的ASCII碼引導表的格式,并按此格式順序寫進Flash。Flash編程流程如圖1所示。下面僅以一個動畫顯示程序qq.out為例,介紹如何將其燒寫進Flash。
2.1 生成引導表
  通過Hex轉換工具,將用戶程序qq.out文件轉換成十六進制形式的ASCII碼流文件(ASCIIHex格式文件[2])qq.asc。首先編寫一個convert.cmd命令文件。部分內容如下:
  qq.out/*用戶程序*/
  -a/*轉換成ASCIIHex格式文件*/
  -map qq.mxp/*包含引導表的長度等信息*/
  -o qq.asc/*轉換成qq.asc*/
  執行命令行“hex500 convert.cmd”將產生qq.mxp和qq.asc文件。其中qq.mxp文件有這樣的信息:“CONTENTS: 00000000…0000433b”。表示qq.asc中的引導表長度為0x433C字,內容大致為:“10 AA 7F FF 00 02 00 00…”。
2.2 轉換成數據文件
  編程將ASCIIHex格式文件qq.asc轉換成CCS(Code Composer Studio,代碼集成開發環境)支持的數據文件(后綴名為.dat)。例中的引導表已屬較大的表,這里將其轉換為兩個數據文件qq_dat1.dat和qq_dat2.dat,以在同一緩沖區分兩次裝載,避免因緩沖區太小而容納不了引導表的情況發生。
  CCS支持的數據文件的第一行為文件頭信息,格式為:
  幻數  數據格式  起始地址  頁類型  數據塊大小
其后是文件內容,每行表示一個數據。其中幻數固定為“1651”,數據格式可以選擇“1”(十六進制整型)、“2”(十進制整型)、“3”(十進制長整型)、“4”(十進制浮點型)。
  利用VC6.0編寫該轉換程序是簡單的,程序運行后產生的qq_dat1.dat文件將是:“1651 1 4000 1 2000 0x10AA…”。從文件頭信息可知,加載該文件可將引導表裝載到數據空間0x4000起始的長度為0x2000的緩沖區中。
2.3 Flash燒寫
  利用GEL程序將引導表形成的數據文件qq_dat1.dat和qq_dat2.dat逐次裝載到數據空間,調用C程序執行燒寫過程。
  由于Flash空間映射到TMS320VC5402程序空間的0x80000~0xBFFFF,故實際編寫程序時使用的Flash空間的地址均需偏移0x80000。例如,Flash空間的0x5555地址單元實際上為0x85555。
  正如前面所介紹的,雖然高端Flash囊括了整個Flash空間,但是對于C54x系列芯片,其C語言指針的寬度為16位,只能訪問64 K字范圍(0x0000~0xFFFF)之內的存儲空間,而不能訪問高端Flash(0x80000~0xBFFFF)。
  參考文獻[3]討論了用C語言指針不能訪問C54x系列DSP擴展程序空間的問題,提出了用函數名代替指針來訪問擴展程序空間的方法,并給出了可供C程序調用的pfunc_ext.lib庫。這一方法本質上是將函數名代表的程序空間地址(20位)傳送到40位的累加器,進行累加器尋址,因此使用該庫恰好可以解決指針不能訪問高端Flash的問題。庫中以下兩個函數是有用的:
int PFUNC_wordRead(PFUNC addrProg);
//讀取(擴展)程序空間地址addrProg處的一個字
void PFUNC_wordWrite(PFUNC addrProg,int wData);
//將字wData寫到(擴展)程序空間地址addrProg處
  為應用pfunc_ext.lib庫,需定義一些函數,并在命令文件中為這些函數所在的自定義代碼段分配段地址,以使這些函數的函數名指向Flash特定的地址單元。例如,可以編寫一個C程序源文件,定義一個空函數FLASH_5555以指向0x85555:
#pragma CODE_SECTION(FLASH_5555,"bigpointer")
void FLASH_5555(void){}
  Flash的其他地址可依此方法得到, pfunc_ext.lib庫的具體說明見參考文獻[3]。
  下面應用pfunc_ext.lib庫編寫了Flash擦除和編程的3個基本函數flash_erase()、flash_word_write()、flash_serial_write(),分別完成Flash擦除、字編程和連續編程。其中連續編程只是循環調用了字編程函數。擦除和字編程的流程分別如圖2和圖3所示。擦除函數的代碼如下:
//實現片擦除、塊擦除或扇區擦除,type定義擦除方式,addr給出扇區起始地址或塊起始地址
unsigned int flash_erase(PFUNC addr,unsigned type){
  //執行SST39VF400A的擦除命令序列
  PFUNC_wordWrite(FLASH_5555,FLASH_CMD1);
  //0xAA﹥*(0x85555)
  …
  PFUNC_wordWrite(addr,type);//擦除類型命令
  …
  }

圖2 擦除流程

圖3 字編程流程
  有了這些基本函數,就可以在主函數中完成Flash的燒寫。下面的主函數實現將引導表燒寫進Flash。
void main(){
  …
  asm("erase:");//擦除0x80000~0x97FFF,塊擦除
  for(i=0;i<3;i++)
  flag=flash_erase((PFUNC)i,FLASH_BLOCK_ERASE);
  asm("program1:");//連續編程
  flag=flash_serial_write(FLASH_BASE,MEM_BASE,usercode_length1);//FLASH_BASE指向0x84000
  asm("program2:");//連續編程
  …
  asm("program_bootaddr:");//字編程
  flag=flash_write_word(FLASH_FFFF,0x4000);
}
  例中采用了塊擦除的方式。MEM_BASE是多次加載引導表的緩沖區起始地址,為與數據文件qq_dat1.dat中文件頭對應,應保證MEM_BASE指向0x4000。其方法類似于上述函數名的地址分配(使用#pragma DATA_SECTION偽指令)。最后完成字編程,使Bootloader上電時得以在數據空間的0xFFFF處讀取引導表在數據空間的起始地址,例中為0x4000。
  為使主函數正確執行,需借GEL語言的運行調試功能,由此設計的GEL程序真正體現了Flash燒寫的流程。GEL程序流程如圖4所示,部分代碼如下:
menuitem "PROGRAMMING";
hotmenu FlashFiring(){…
  GEL_Load("ProgramFlash.out");//加載C燒寫程序
  …
  if(flag){
  GEL_Load("qq_dat1.dat");//加載數據文件
  GEL_Go(program1); //執行連續編程
  …
  GEL_Load("qq_dat2.dat");//加載數據文件
  GEL_Go(program2); //執行連續編程…
}
  }

圖4 GEL程序流程
  GEL程序在C程序每次執行前設定正確的環境變量并初始化緩沖區。例如,數據文件的長度usercode_length1就是需要根據實際的數據文件長度進行設定的環境變量;而在進行連續編程之前,需要GEL程序重新加載MEM_BASE緩沖區。
3 運行結果
  在CCS環境下選擇File/Load GEL,裝載以上GEL程序,選擇GEL/ PROGRAMMING/FlashFiring,即可實現Flash燒寫。拔掉仿真器,給系統重新上電,可以看到液晶顯示器上QQ企鵝的動畫。
4 結論
  通過函數地址可以進行Flash的全空間訪問;采用C語言編寫Flash擦除和編程函數,增強了程序的可讀性;將引導表作成多個數據文件,一方面適于大引導表的加載,另一方面使Flash編程算法與編程數據完全分離,提高了算法的通用性;僅在GEL程序中修改參數即可實現另一用戶程序的燒寫,體現了方法的靈活性。
參考文獻
[1] 張勇.C/C++語言硬件程序設計——基于TMS320C5000系列DSP[M].西安:西安電子科技大學出版社,2003(5):206-230.
[2] Texas Instruments. TMS320C54x Assembly Language Tools User's Guide. SPRUF102,200-210.
[3] David M Alter. Using C to Access Data Stored in Program Memory on the TMS320C54x DSP[R]. SPRA177A, Texas Instruments Application Report,2005-08.
[4] 北京合眾達電子技術有限公司. SEED——MMI5402用戶指南. 2004-06.
王海濤(碩士),主要研究方向為機器視覺、焊接自動控制;
張文明(教授),主要研究方向為焊接自動控制;
王濱(教授),主要研究方向為機器視覺。

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