???? 日前，德州儀器(TI)宣布推出一款可滿足DDR、DDR2、DDR3與DDR4等各種低功耗存儲(chǔ)器終端電源管理要求的汲極/源極雙數(shù)據(jù)速率(DDR)終端穩(wěn)壓器" title="終端穩(wěn)壓器">終端穩(wěn)壓器TPS51200。該簡(jiǎn)便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容" title="輸出電容">輸出電容僅為20μF，比同類競(jìng)爭(zhēng)解決方案的電容降低了近80%。這樣，設(shè)計(jì)人員" title="設(shè)計(jì)人員">設(shè)計(jì)人員可利用該器件實(shí)現(xiàn)更低成本、更小型化的DDR存儲(chǔ)器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺(tái)式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量" title="大容量">大容量存儲(chǔ)器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求。 ???

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??? 高寬帶內(nèi)部跨導(dǎo)，Gm放大器與積分動(dòng)態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應(yīng)，而且外部輸出電容極小。在負(fù)載變動(dòng)幅度為-1.5A～+1.5A的典型應(yīng)用中，輸出電壓偏移小于25mV。TPS51200能在2.375V~3.5V的偏置電壓下工作，這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競(jìng)爭(zhēng)力。此外，在RAM暫停工作時(shí)，該器件還支持S3睡眠狀態(tài)控制。

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??? TPS51200也可用作輸入電壓范圍為1.1V～3.5V的通用高性能低降壓(LDO)穩(wěn)壓器。當(dāng)啟用引腳連接至系統(tǒng)總線電壓時(shí)，該器件支持跟蹤啟動(dòng)與斷電功能，這使設(shè)計(jì)人員可以輕松實(shí)施多軌系統(tǒng)電壓排序，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。

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??? TPS51200的推出進(jìn)一步增強(qiáng)了TI豐富的DDR存儲(chǔ)器電源解決方案系列，其中包括支持TPS51100DDR終端穩(wěn)壓器，集成汲極/源極LDO的TPS51116DDR電源轉(zhuǎn)換開關(guān)以及支持DDR終端的TPS40042低電壓" title="低電壓">低電壓跟蹤開關(guān)穩(wěn)壓器。TPS51200還進(jìn)一步豐富了TI面向存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)非常廣泛的DDR、DDR2與DDR3鎖相環(huán)(PLL)以及LDO產(chǎn)品，其中包括SN74SSQE32882，作為支持寄存式雙列直插式存儲(chǔ)器模塊的PLL集成式DDR3寄存器，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。????

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??? 供貨情況????

??? 采用散熱性能增強(qiáng)型SON-10PowerPAD集成電路封裝的TPS51200產(chǎn)品現(xiàn)已批量上市，可通過TI及其授權(quán)分銷商訂購(gòu)。