許多的工程師對變壓器的繞制工藝把握不準，導致做出來的產品，反復的調試才能符合初始的設計參數要求，變壓器的工藝設計涉及到的東西很多，下面我就這個問題向達家介紹一下各種繞制工藝對電源各項參數的影響，希望能對大家有鎖幫助。
要想把變壓器設計好，首先就需要選擇好變壓器，變壓器的選擇受到很多的因素制約，首先，需要計算好變壓器的Ap值，得到Ap值之后，我們就要根據電源的結構尺寸來初步選擇變壓器，包括變壓器的高度，寬度以及長度。當電源的整體高度有限制時，就需要考慮扁平型的變壓器，臥式變壓器是首選。常見的有EE系列，EC系列，ER系列的臥式變壓器，EF系列與EFD系列變壓器；如果是超薄的適配器與LED日光燈內置電源，可以考慮平面變壓器。而如果PCB的空間有限，應該選擇PQ，RM，或者罐形磁芯，因為這些磁芯的截面積大，占用空間小，可以輸出更大的功率
其次，在選擇變壓器的時候我們要根據電路的參數與側重點不同，而選擇不同的變壓器。
比如，在反激電源中，我們希望漏感越小越好，因為漏感大小會影響功率器件的電壓與電流應力，同時對EMC也有不可忽視的影響，那么我們就找對漏感控制有利的變壓器，如PQ型，RM型，以及ERL型的變壓器，再加上合理的繞法，可以將漏感控制在3%以下。又如LLC電源，我們希望用變壓器的漏感來作為諧振電感，所以我們需要刻意加大漏感，選用分槽的骨架來繞制比較理想。
再次，在選擇變壓器的時候，要考慮到成本與通用性。成本不僅僅是每個企業老板關心的問題，同樣是我們廣大研發工程師最糾結的問題，除非是少數軍品級別或高檔不計成本的電源，我們在設計的時候要在性能參數與成本之間找到一個平衡點，不要刻意去追求某個參數而忽略帶來的成本影響，有時哪怕每個變壓器增加幾分錢的成本，如果批量起來，都是不可忽略的一筆開支。
除非由于商業因素的考慮，希望自己的產品不被其它的廠商所抄襲，一般不考慮私模或偏門的變壓器磁芯與骨架，因為量產的時候，供貨的渠道與周期都會受到很大的制約，而通用的磁芯，無論在價格上還是在供貨渠道與周期都有很大的可選擇性。看以下圖片：
選擇變壓器的時候，還要考慮到為了符合安規標準，EMC性能。首先，要考慮變壓器骨架的繞線寬度，變壓器為了符合安規中的爬電就離要求，一般都要在繞組邊上加3mm的擋墻，那么這就縮小了變壓器骨架的可用繞線寬度；而如果不加擋墻的話，就需要使用三重絕緣線，而三重絕緣線的外徑一般比內部的銅線直徑大0.2mm，那么，同樣的窗口面積，繞線的匝數相當于減少了。
其次，要考慮變壓器骨架的槽深，有時為了EMC，需要在變壓器內部加入屏蔽層，有些用細線繞，有的用銅箔繞，這些繞組無疑會增加繞組的層數，也就是說可用于繞制變壓器其他繞組的槽深就減少了。
選擇變壓器要考慮到繞組裝配工藝的影響
很多的工程師在設計變壓器的時候，沒有考慮到裝配工藝，往往會出現這樣的情況：變壓器計算好之后，把參數發給變壓器廠做樣；然后，變壓器廠工程師打電話說繞不下，磁芯太緊，不好裝配，不利于量產；最后不得不修改變壓器參數；這樣無疑會延緩項目的進度。所以在設計之初，我們就要考慮到變壓器磁芯窗口的誤差，以及繞線工藝、絕緣TAPE的厚度等因素，這些因素都會影響變壓器的裝配；我們在計算時應該對這些因素給予充分考慮，留有一定的余量。
變壓器的繞制方法與注意事項
普通分層繞法：
一般的單輸出電源，變壓器分為3個繞組，初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb；當實用普通分層繞法時，繞制的順序是：Np--Ns--Nb，當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法，但不常用。
此種繞法工藝簡單，易于控制磁芯的各種參數，一致性較好，繞線成本低，適用于大批量的生產，但漏感稍大，故適用于對漏感不敏感的小功率場合，一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法
三明治繞法
三明治繞法久負盛名，幾乎每個做電源的人都知道這種繞法，但真正對三明治繞法做過深入研究的人，應該不多。相信很多人都吃過三明治，就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義，三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同，三明治又分為兩種繞法：初級夾次級，次級夾初級。先來看第一種，初級夾次級的繞法（也叫初級平均繞法）
如上圖，順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb，此種繞法有量大優點，由于增加了初次級的有效耦合面積，可以極大的減少變壓器的漏感，而減少漏感帶來的好處是顯而易見的：漏感引起的電壓尖峰會降低，這就使MOSFET的電壓應力降低，同時，由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低，從而改善EMI；由于在初級中間加入了一個次級繞組，所以減少了變壓器初級的層間分布電容，而層間電容的減少，就會使電路中的寄生振蕩減少，同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應力，改善EMI。
第二種，次級夾初級的繞法（也叫次級平均繞法）
如上圖，順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時，一般采用此種繞法，其優點有二：
1、可以有效降低銅損引起的溫升：由于輸出是低壓大電流，故銅損對導線的長度較為敏感，繞在內側的Ns/2可以有效較少繞線長度，從而降低此Ns/2繞組的銅損及發熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長，但是基本上是在變壓器的外層，散熱良好故溫度也不會太高。
2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯，次級電壓低，故引起的高頻干擾小。
我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發對EMI的影響。首先，我們來看初級夾次級的繞法，我們知道，變壓器的初級由于電壓較高，所以繞組較多，一般要超過2層，有時甚至達到4-5層，這就給變壓器帶來一個分布參數---層間電容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解釋了。當MOSFET關斷的時候，變壓器的漏感與MOSFET的結電容以及變壓器的層間電容會產生振動，幅度達到幾十甚至超過一百V，這對MOSFET與EMI來說都是不允許的，所以，我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩，達到保護MOSFET與改善EMI的目的。
上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形
從這個角度來說，三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說，三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積，減少了漏感，同時又使初次級的耦合電容增加了；當開關管反復開關時，電容也會反復充放電，也就是說會引起振蕩，此振蕩正比于開關頻率，會對EMI產生不利的影響。