為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些應用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應用工程方面具有明顯優(yōu)勢。
飛思卡爾半導體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導體器件方面具有雄厚實力。該公司采用HV7工藝的第七代硅RF" title="RF">RF外側擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內(nèi)具有滿足WiMAX基礎設施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業(yè)、科學以及醫(yī)療(ISM)應用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴展到6GHz，可用于WiMAX放大器。
最近，飛思卡爾半導體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級射頻集成電路(RF IC)。當由該公司高性價比的MMG3005N通用放大器(GPA)驅動時，MWE6IC9100N和MW7IC181 00N RF IC構成了工作在900和1,800MHz的無線基站100W功率放大器完整解決方案。
雖然這些分立以及集成RF功率器件" title="功率器件">功率器件的性能非常優(yōu)異，但將這些器件交至客戶手中僅僅是開始。事實上，每次交付使用都將由飛思卡爾的技術人員提供各種測試、建模、封裝以及應用支持。
RF功率特性
負載拉移測量技術" title="測量技術">測量技術在最近幾年愈來愈受歡迎，該技術通常被用來測量RF功率放大器的參數(shù)，比如峰值輸出功率、增益，以及在器件參考平面出現(xiàn)的各種復雜負載條件下的效率。在同一測量環(huán)境中采用多種復雜的調(diào)制信號也越來越普遍。對大功率RF半導體生產(chǎn)商而言，準確表征產(chǎn)品的特性還存在困難，與此同時開發(fā)這類器件還必須采用大的外圍設備。這類設備一般為60mm，終端阻抗低于0.5Ω，品質因數(shù)(Q)在8至10之間。
飛思卡爾公司的射頻部門已開發(fā)出幾種增強精度的技術和以及多種自動定制測量技術。該部門具有高反射(高γ)負載拉移實驗室，測試頻率覆蓋250MHz至8GHz，測試功率高達100W連續(xù)功率(CW)(或者500W脈沖功率)，可為該公司的GaAs、GaN和LDMOS器件、建模、應用和其它功能小組提供服務(圖1)。飛思卡爾具有對0.5Ω以及更低阻抗器件實現(xiàn)先進測量的能力，為此該公司開發(fā)出了一系列專門測試設備來優(yōu)化阻抗變換比，將50Ω系統(tǒng)特性阻抗轉變?yōu)榇蠊β示w管負載拉移測量所需的低阻抗。
除基于夾具的系統(tǒng)外，飛思卡爾還采用基于商用晶圓" title="晶圓">晶圓探針測試設備的晶圓上負載拉移系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要用于器件的研究、開發(fā)及建模。晶圓上負載拉移系統(tǒng)采用獨特的三維抗振動機制來減小調(diào)諧振動的影響，從而將探針到晶圓的接觸損傷降至最小。
飛思卡爾半導體公司的負載拉移系統(tǒng)具有很高的精度，通常在γ值最大(0.93至0.95或Smith圖邊沿)的情況下，傳感器差分增益ΔGt小于0.25dB，并且在測量區(qū)域內(nèi)小于0.1dB。這一精度水平是通過在所有測量參考面采用高精度的7mm同軸連接器來實現(xiàn)的，這些連接器的在2GHz下的電壓駐波比(VSWR)一般為1.008:1。另外一些特性也為達到這個精度提供了保障，這些特性包括：中心接觸阻抗小于0.1mΩ、良好的校正特性、單元至單元阻抗變化小于0.1%、在18GHz頻率下的相變小于0.21度。
結合使用矢量網(wǎng)絡分析儀與負載拉移測試系統(tǒng)，并采用穿透-反射-線(TRL)校正法，可實現(xiàn)優(yōu)于45dB的源匹配。與其VNA校正方法，如短路-開路-負載-穿透(SOLT)法相比，TRL校正法不受高頻下校正負載標準的寄生電路元件(固有的額外電容及電感)的影響。
通常，對每個調(diào)諧器要測試5,000至6,000個阻抗點，從而確保阻抗點在源和負載阻抗平面內(nèi)均勻分布。當非匹配外圍設備的終端阻抗很低時，這些設備對很小的阻抗變化非常敏感，因此對它們的測試需要高密度的測試點。在評估包含封裝匹配部分的阻抗較高的產(chǎn)品時，不要求如此高的測試密度，此時可以進行測試點稀疏的負載拉移測試。
典型的負載拉移設置如圖2所示。在飛思卡爾，采用負載拉移系統(tǒng)來評價器件的峰值脈沖壓縮、AM-AM轉換、AM-PM轉換、頻率響應以及大信號器件輸入阻抗等。該系統(tǒng)也可以用于復合信號的測量，以確定平均和峰值功率、鄰道功率(ACP)、雙音和多音交調(diào)失真(IMD)測試等，并評估器件在EDGE信號不同負載條件下的行為。飛思卡爾還進行器件信號功率的互補累積分布函數(shù)(CCDF)分析。CCDF測試是常見的第二代(2G)和第三代(3G)無線測量。實現(xiàn)CW、脈沖以及調(diào)制信號測量的要求來自于這些信號在器件上產(chǎn)生不同熱負載的事實，因此，對每個調(diào)制格式優(yōu)化的負載阻抗也是不同的，如圖3所示。除這一廣泛的測量能力以外，飛思卡爾已開發(fā)了獨具價值的數(shù)據(jù)輸入和后處理工具，使用戶能夠快速分析二維或三維平面下被測試器件(DUT)的行為(圖4)。
脈沖VNA負載拉移技術被用來測量飛思卡爾公司廣泛的功率晶體管產(chǎn)品，包括170W WCDMA器件MRF7S21170H。該器件的負載拉移功率等高線顯示，1dB壓縮點的脈沖輸出功率高于+53dBm(200W)，2.14GHz頻率下的增益為19.94dB(圖5)。由于具有這些技術，MRF7S21170H的最終匹配網(wǎng)絡設計變成非常簡單，只需為同時優(yōu)化功率密度、增益、效率，以及綜合的匹配網(wǎng)絡而選擇負載和源阻抗。
功率器件的建模
設計面向現(xiàn)代通訊和廣播系統(tǒng)、工業(yè)、科學和醫(yī)療應用，以及航空電子和雷達市場的RF功率放大器(PA)是一個很大的挑戰(zhàn)，設計工程師必須滿足提高RF功率放大器能效的目標，并同時滿足嚴格的調(diào)節(jié)(比如線性)和對更低成本放大器的需求。
基于AB類工作模式的傳統(tǒng)放大器正被采用Doherty和包絡跟蹤等結構的效率更高的設計所代替，后者可以工作在非線性模式下，例如D類、E類、F類以及其它工作模式等。效率更高、線性度更高、成本更低，這些相互矛盾的要求意味著設計工程師必須進行多方面的折衷。如此艱巨的任務只能采用基于經(jīng)驗或“試湊”的辦法來完成。設計工程師必須轉向計算機輔助設計(CAD)技術以及電路仿真來優(yōu)化設計。在射頻功率放大器設計中越來越多地采用CAD方法，使得設計更多地依賴于精確晶體管模型。越來越多的公司利用CAD方法來顯著縮短產(chǎn)品上市時間，并增加設計的魯棒性以應對工藝和生產(chǎn)參數(shù)的變化。對半導體生產(chǎn)商而言，及時提供精確、非線性、電熱模型已成為在可相互替代的供應商中脫穎而出的關鍵。
采用飛思卡爾的大功率射頻晶體管的功率放大器設計工程師，可以得到飛思卡爾具有全面經(jīng)驗的射頻建模團隊的技術支持，并獲得非線性電熱晶體管模型。可以從該公司的RF大功率模型庫www.freescale.com/rf/models在線獲得模型。很多CAD工具都支持這些模型，包括安捷倫的EEsof ADS和Genesys、Advanced Wave Research公司的Microwave Office、AWR公司的Analog Design Tool、Ansoft公司的Ansoft Designer。