因應(yīng)MCU" title="MCU">MCU成長(zhǎng)快速及程序數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要，MCU內(nèi)嵌Flash" title="Flash">Flash內(nèi)存設(shè)計(jì)成為主流趨勢(shì)，MCU大廠也紛紛以購(gòu)并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來(lái)的技術(shù)變革。
FlashMCU出貨比重過(guò)半掌握Flash成為MCU開(kāi)發(fā)關(guān)鍵
因應(yīng)MCU成長(zhǎng)快速，所帶動(dòng)的程序代碼與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要，MCU內(nèi)嵌內(nèi)存類型也從早期Maskrom、EPROM、EEPROM到Flash內(nèi)存。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估，內(nèi)嵌Flash內(nèi)存的MCU在2010年出貨比重超過(guò)50%。也因此MCU大廠也急于掌握內(nèi)嵌Flash內(nèi)存相關(guān)IP與制程技術(shù)。像Microchip就購(gòu)并閃存大廠SST。提供MCU內(nèi)嵌Flash的常憶科技(Chingistek)，則提出pFLASH技術(shù)平臺(tái)，以2TPMOS半導(dǎo)體" title="半導(dǎo)體">半導(dǎo)體技術(shù)為統(tǒng)一性平臺(tái)，開(kāi)發(fā)晶圓" title="晶圓">晶圓代工廠制程驗(yàn)證過(guò)的高密度e2Flash以及e2Logic等IP，授權(quán)給MCU業(yè)者做內(nèi)嵌NorFlash的解決方案。
內(nèi)嵌Flash的技術(shù)關(guān)鍵兼容、成本、耐用度
良好的MCU內(nèi)嵌Flash技術(shù)關(guān)鍵，在于提供MCU主控端兼容性，最小電路面積、低制造成本、高耐久性抹寫次數(shù)、高質(zhì)量與信賴度及易于給晶圓廠代工以及依比例縮放特性。目前晶圓廠代工Flash制程大多是傳統(tǒng)NMOS半導(dǎo)體制程技術(shù)，并再結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)(Standard)以及雙聚合物制程(DoublePoly)，前者提供彈性程序與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存空間，后者則提供較大儲(chǔ)存空間、較快讀寫時(shí)間、較長(zhǎng)讀寫壽命。
以常憶pFusion提供2-TPMOS半導(dǎo)體制程來(lái)說(shuō)，分別就標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提出e2Logic以及雙聚合物制程的e2Flash技術(shù)，兩者較傳統(tǒng)NMOS半導(dǎo)體制程的Flash能降低抹除/寫入電流以及耗電量，執(zhí)行效能可達(dá)到內(nèi)嵌EEPROMMCU的水平!且避免寫入數(shù)據(jù)時(shí)引起造成鄰近記錄單位干擾。
e2Flash技術(shù)與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
進(jìn)一步檢視e2Flash內(nèi)嵌技術(shù)，它提供單一記錄細(xì)胞元低于0.1微安培寫入電流(<0.1μA/cell)，單一字組程序化時(shí)間低于20μs，區(qū)塊抹除時(shí)間低于2ms，并提供20年保存期限與至少20萬(wàn)次抹寫周期，工作溫度以0.18微米制程為-40~105℃，0.13微米制程下則可從-40~125℃。
以0.18、0.13微米與90奈米制程列舉1Mb(128KB)e2Flash電路面積僅1.176、0.98、0.84mm2，2Mb(256KB)則僅占1.91、1.41、1.34mm2，跟目前1.5TnMOSFlash或2TEEPROM等技術(shù)相比，e2Flash除了程序化電流比2TEEPROM較大之外，在整體讀寫速度、耐久度與晶粒面積上，e2Flash也有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
常憶科技嵌入式非揮發(fā)憶體事業(yè)部總經(jīng)理張有志表示，在維持4ppm不良率情況下，目前e2Flash在2010年出貨=700K,預(yù)估2010年可達(dá)1M。目前0.13微米制程預(yù)估2011年Q1送樣，同時(shí)在2012年進(jìn)一步提升到65奈米制程。
e2Logic提供彈性化配置與高耐受度
在不使用模擬訊號(hào)轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)邏輯閘制程(StandardLogic)下，e2Logic的FlashIP技術(shù)，提供程序代碼與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)彈性化配置的優(yōu)勢(shì)，以及在-40~105℃工作溫度下，數(shù)據(jù)保存時(shí)間確保10年，以及2萬(wàn)次抹寫周期的耐受度。
目前常憶提供的0.18微米制程e2LogicFlashIP，工作電壓1.8/3.3V下讀取時(shí)間40奈秒，位寫入時(shí)間為30或500毫秒(程序或數(shù)據(jù))，抹除時(shí)間200毫秒，每MHz下讀取電流為200μA，程序化與抹除電流均為2mA，10萬(wàn)次抹寫與10年。以64KB程序+512KB數(shù)據(jù)配置面積1.52mm2，32KB程序+256KB數(shù)據(jù)配置電路面積更可縮至0.85mm2。
e2Logic優(yōu)勢(shì)在于無(wú)須多加光罩，適合低功耗快速存取的MCU應(yīng)用設(shè)計(jì)，且提供高耐用度與數(shù)據(jù)保存壽命。目前0.18微米1.8/3.3V在2010年Q4針對(duì)客戶送樣，1.8V/5V將于2011年Q1送樣，同時(shí)65奈米制程預(yù)定于2012年Q1送樣。