E類功率放大器是一種高效率的功率放大器，在理想情況下，它可以達(dá)到100％的效率。在這種功率放大器中，功率管的驅(qū)動電壓幅度必須足夠強，使得輸出功率管相當(dāng)于一個受控的開關(guān)，在完全導(dǎo)通(晶體管工作于線性區(qū))和完全截止(晶體管工作于截止區(qū))之間瞬時切換。由于流過理想開關(guān)的電流波形和開關(guān)上的電壓波形沒有重疊，理想開關(guān)不消耗功耗，電源提供的直流功耗都轉(zhuǎn)換為輸出功率，將達(dá)到100％的效率。
    本文針對藍(lán)牙系統(tǒng)，設(shè)計時考慮寄生電感的影響，采用TSMC 0．18μm CMOS工藝設(shè)計出了一個差分E類功率放大器，有效地抑制了寄生電感對系統(tǒng)性能的影響，同時給出了設(shè)計方法和設(shè)計過程。

1 理想射頻E類功放工作原理及設(shè)計方程
    晶體管E類功率放大器由單個晶體管和負(fù)載網(wǎng)絡(luò)等組成。在激勵信號作用下，晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)晶體管飽和導(dǎo)通時，漏端電壓波形由晶體管決定，即由晶體管的導(dǎo)通電阻決定。當(dāng)晶體管截至?xí)r，漏端電壓波形由負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的瞬態(tài)響應(yīng)所決定。
    E類功率放大器要保持高效率，其負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的瞬態(tài)響應(yīng)必須滿足以下3個條件：(1)晶體管截至?xí)r，漏端電壓必須延遲到晶體管“開關(guān)”斷開后才開始上升。(2)晶體管導(dǎo)通時，漏端電壓必須為零。(3)晶體管飽和導(dǎo)通時，漏端電壓對時間的導(dǎo)數(shù)必須為零。
    根據(jù)上述3點，具體分析E類功率放大器工作原理及其電路參數(shù)的計算。圖l為E類功率放大器的電路原理圖，其中Cd為MOS管寄生電容與片上電容的和，L1 為高頻扼流圈。L0，C0為串聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)，Rload為等效負(fù)載。當(dāng)晶體管飽和導(dǎo)通時，漏端電壓為零，由于負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的影響，電流Ld(ωt)有一個上升和下降的過程。當(dāng)晶體管截至?xí)r，漏端電壓則完全由負(fù)載網(wǎng)絡(luò)所決定。圖2所示為理想E類功放漏端電壓和電流時域波形，由圖可知所以Id(ωt)與 Vds(ωt)不同時出現(xiàn)，使放大器效率趨近于100％，該效率主要由負(fù)載網(wǎng)絡(luò)參數(shù)最佳設(shè)計來實現(xiàn)的。


    由文獻(xiàn)可求得圖1所示電路中各個元件的值，即
   

2 射頻CMOS E類功率放大器非理想因素分析
    分析了理想功放的設(shè)計方程，有載QL的選擇，負(fù)載網(wǎng)絡(luò)元器件的選取等，但是這些理論基礎(chǔ)都建立在理想情況下，而在實際設(shè)計中，必須考慮非理想的因素。非理想因素有多種：
    (1)寄生電感的影響。
    (2)有限的Chock電感。
    (3)NMOS開關(guān)管有限的導(dǎo)通電阻。
    (4)NMOS管寄生電容Cd的非線性。
    (5)負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的有限Q值。
    (6)功率放大器阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的損耗。
    其中寄生電感對功放的設(shè)計結(jié)果影響最大，因此將著重分析寄生電感的產(chǎn)生及其改進措施。
    寄生電感分析與改進措施
    功率放大器在實際應(yīng)用中有3個主要的寄生源，分別為RF電路板、封裝和IC。具體表現(xiàn)在輸出級源級到地的寄生電感，它對功率放大器的輸出功率、PAE、穩(wěn)定性等產(chǎn)生巨大的影響。寄生電感可以分為以下3個方面：
    (1)在IC級，功率放大器一般用通孔結(jié)構(gòu)或者鍵合線聯(lián)接到襯底地。在實際應(yīng)用中，可使用多線鍵合減小地電感。
    (2)在封裝級，通常用接到封裝底部的接地片，或通過封裝引線架的地連接實現(xiàn)接地。可用各種方法調(diào)整引線架，以減小地電感。
    (3)在RF電路板級的地連接一般用通孔接到電路板中間層的專門接地平板。接地的質(zhì)量由物理特性和與系統(tǒng)地的連接好壞確定。
    接電源(地)的封裝線對電路的影響與高速電路中同步開關(guān)噪聲原理相似。交流電流在封裝線上引起的感應(yīng)電勢為
  
    其中，Le為電源和地封裝線的總等效電感。假設(shè)當(dāng)Le=1 nH，交流電流幅度i為300 mA時，即可達(dá)300 mV，如果電感和寄生電容發(fā)生諧振，振蕩信號的幅度會更高，必然會對輸出信號形成干擾。電源(地)封裝線對電路的另一影響是信號或其諧波可能引起振蕩，這些影響是很難通過在電源和地之間接并聯(lián)大耦合電容得到抑制的。因此采用合理的電路結(jié)構(gòu)才能減輕寄生電感對系統(tǒng)的影響。

3 射頻CMOS E類功率放大器設(shè)計
    功率放大器的輸出級是電路最關(guān)鍵、最復(fù)雜的部分，因為它的輸出是芯片射頻接口，除了器件的非線性特性外，還必須要考慮Pad、輸出功率管漏端到地的寄生電感、封裝結(jié)構(gòu)、輸出電壓擺幅、MOS器件擊穿和輸出端口的阻抗匹配等多種因素的影響。在這些因素中，輸出功率管漏端到地的寄生電感對功放性能影響最嚴(yán)重，包括鍵合線電感、PCB板級電路寄生電感等的影響。鍵合線電感的經(jīng)驗值是1 nH／mm，可以并聯(lián)大量的鍵合線來減少鍵合線電感值，但是很難控制其精度，有文獻(xiàn)在仿真時僅加入0．4 nH的電感模擬這些寄生量，但是從測試結(jié)果分析來看，寄生電感遠(yuǎn)不只0．4 nH，因此取1．5 nH來模擬功率管源端到地的寄生電感量。
3．1 應(yīng)用理想方程的功放級設(shè)計
    功放內(nèi)核電路如圖3所示，采用偽差分E類功率放大器，為簡化分析過程，分析右半邊電路圖，L5為片上平面螺旋電感，L6，L7，Ls為鍵合線電感。輸出級為E類功放，Choke電感L6阻止交流信號通過，并給晶體管提供直流電流Idc。反饋網(wǎng)絡(luò)Cs和Rs增強功率放大器的穩(wěn)定性和降低輸出電壓駐波比。 L7、C3組成一個串聯(lián)LC網(wǎng)絡(luò)，包括一個諧振網(wǎng)絡(luò)和部分剩余電感，當(dāng)該諧振網(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)因子足夠高時，流過該網(wǎng)絡(luò)的電流為理想的正弦型信號，所有的諧波成分都被濾除。并聯(lián)電容Cs由兩部分組成，一部分是晶體管的寄生電容，另一部分是實際引入的電容。


    在設(shè)計之初，先利用理想設(shè)計方程，估算E類功率放大器的各個參數(shù)，再采用諧波平衡法(Harmonic Balance)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整參數(shù)。其中Pout=24 dBm，電源電壓VDD=1．8 V，取Qt=5，根據(jù)之前給出的設(shè)計方程得出

  
    以上參數(shù)選取依賴于理想設(shè)計方程參數(shù)，只考慮到最佳負(fù)載為實部的情況，考慮到一些非理想因素，利用ADS軟件，采用Load Pull技術(shù)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整參數(shù)。
3．2 應(yīng)用Load Pull技術(shù)的功放級設(shè)計
    在功放級設(shè)計中，如何使輸出功率最大化是最主要的設(shè)計目標(biāo)。
    基本思路是通過CAD技術(shù)進行Load Pull仿真確定最佳的源和負(fù)載阻抗。所謂的Load Pull仿真，就是在負(fù)載阻抗很大范圍內(nèi)掃描，逐點作諧波平衡分析計算出輸出功率，在圓圖上畫出等功率圓。因此根據(jù)設(shè)計目標(biāo)的輸出功率，就能在圓圖上找到與之對應(yīng)的一系列的輸出阻抗。同樣的原理，可以畫出等PAE的圓，折中考慮輸出功率，PAE和負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的有載QL等就能確定最佳阻抗。

4 仿真結(jié)果與分析
    根據(jù)負(fù)載牽引仿真結(jié)果得到負(fù)載的最佳阻抗值，下面就是采用適當(dāng)?shù)钠ヅ湫问?集總參數(shù)或分布參數(shù))實現(xiàn)輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，并將該輸出匹配網(wǎng)絡(luò)加入到電路中進行源負(fù)載牽引仿真，以便得到源的最佳輸入阻抗。
    這樣通過兩次負(fù)載牽引得到最佳輸入輸出阻抗，并選擇適當(dāng)?shù)钠ヅ潆娐穼?0 Ω變化到所需的阻抗。圖4結(jié)果表明，將負(fù)載匹配到31+j24時，該結(jié)構(gòu)具有最大輸出功率26．78 dBm，最大PAE為60．56％。采用L型匹配網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)輸入、輸出阻抗的匹配。


    表1的Load Pull結(jié)果是有一定條件完成的，其前級驅(qū)動信號并不是理想的開關(guān)信號，而是輸入信號為O dBm，經(jīng)過Cascode驅(qū)動級放大后的信號。利用理想設(shè)計方程得到的結(jié)果比較差的原因是，得出理想方程的假設(shè)條件和實際應(yīng)用條件不一樣，具體有：
    (1)驅(qū)動信號并不是理想的具有足夠驅(qū)動能力的占空比為50％的方波信號。
    (2)仿真時在輸出級功率管的源端加入了1．5 nH的寄生電感。
    (3)RFC電感并不是無窮大。
    (4)輸出級功率管的導(dǎo)通電阻并不為O，需要一定的導(dǎo)通時間。
    (5)負(fù)載諧振網(wǎng)絡(luò)Q值也是有限的。

5 結(jié)束語
    分析比較了CMOS工藝和GaAs工藝的優(yōu)缺點，以及設(shè)計過程中所要考慮的非理想因素，著重分析寄生電感的產(chǎn)生，對功放性能的影響，以及如何抑制寄生電感對功放的影響。最終采用理想設(shè)計方程和Load Pull技術(shù)，基于0．18μm CMOS工藝實現(xiàn)了一個差分的E類功放，ADS仿真結(jié)果表明采用差分結(jié)構(gòu)較好地抑制了漏端電感對功率放大器性能的影響，提高功放的PAE，為實現(xiàn)單片集成發(fā)射機奠定了基礎(chǔ)。