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中國(guó)臺(tái)灣將取消臺(tái)積電尖端制程赴美生產(chǎn)限制

1月14日消息，據(jù)《臺(tái)北時(shí)報(bào)》報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)郭振華（J.W. Kuo）近日在新聞發(fā)布會(huì)上表示，臺(tái)積電現(xiàn)在被允許在其位于中國(guó)臺(tái)灣以外的晶圓廠中采用其即將推出的 2nm 級(jí)制程工藝技術(shù)制造芯片。

發(fā)表于：1/16/2025

【回顧與展望】Arm技術(shù)預(yù)測(cè)：2025年及未來(lái)的技術(shù)趨勢(shì)

Arm 不斷思考著計(jì)算的未來(lái)。無(wú)論是最新架構(gòu)的功能，還是用于芯片解決方案的新技術(shù)，Arm 所創(chuàng)造和設(shè)計(jì)的一切都以未來(lái)技術(shù)的使用和體驗(yàn)為導(dǎo)向。憑借在技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)中所處的獨(dú)特地位，Arm 對(duì)全方位高度專業(yè)化、互聯(lián)的全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈有著充分的了解，覆蓋數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、智能終端等所有市場(chǎng)。因而，Arm 對(duì)未來(lái)技術(shù)的發(fā)展方向及未來(lái)幾年可能出現(xiàn)的主要趨勢(shì)有著廣泛而深刻的洞察。基于此，Arm 對(duì) 2025 年及未來(lái)的技術(shù)發(fā)展做出了以下預(yù)測(cè)，范圍涵蓋技術(shù)的各個(gè)方面，從 AI 的未來(lái)發(fā)展到芯片設(shè)計(jì)，再到不同技術(shù)市場(chǎng)的主要趨勢(shì)。

發(fā)表于：1/14/2025

2024年10家主要半導(dǎo)體企業(yè)全球投資額減95億美元

目前世界半導(dǎo)體工廠的開(kāi)工率為70%左右，低于被視為健康性標(biāo)準(zhǔn)的80%。需求低迷加上產(chǎn)能過(guò)剩，企業(yè)不得不調(diào)整2024年度的設(shè)備投資。“中國(guó)的新工廠投資速度正在放緩，2025年全球半導(dǎo)體投資減少的可能性也很大”…… 全球10家主要半導(dǎo)體企業(yè)2024年度的設(shè)備投資額為1233億美元，較上一年度減少2%，比初期計(jì)劃下調(diào)約95億美元。將是連續(xù)2年同比下降。需求主要集中在人工智能(AI)領(lǐng)域，而純電動(dòng)汽車(chē)(EV)領(lǐng)域則停滯不前。受各國(guó)半導(dǎo)體振興政策推動(dòng)，提前投資取得進(jìn)展，產(chǎn)能也出現(xiàn)過(guò)剩跡象。

發(fā)表于：1/14/2025

消息稱Arm計(jì)劃大幅提高芯片設(shè)計(jì)授權(quán)費(fèi)

1 月 13 日消息，據(jù)路透 . 社報(bào)道，芯片技術(shù)供應(yīng)商 Arm Holdings（ARM）正在制定一項(xiàng)長(zhǎng)期戰(zhàn)略，計(jì)劃將其芯片設(shè)計(jì)授權(quán)費(fèi)用提高高達(dá) 300%，并考慮自主研發(fā)芯片，以與其最大的客戶展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。這一消息源于上個(gè)月 Arm 與高通的一場(chǎng)訴訟中披露的內(nèi)部文件和高管證詞。盡管 Arm 試圖通過(guò)訴訟向高通爭(zhēng)取更高的授權(quán)費(fèi)率，但最終未能成功。

發(fā)表于：1/14/2025

英特爾推出首批嵌入式系統(tǒng)用Bartlett Lake處理器

英特爾推出首批嵌入式系統(tǒng)用 Bartlett Lake 處理器，采混合架構(gòu)

發(fā)表于：1/14/2025

中國(guó)電信聯(lián)合華為完成業(yè)界首個(gè)無(wú)線AI新型調(diào)度技術(shù)現(xiàn)網(wǎng)試驗(yàn)

1 月 14 日消息，據(jù)中國(guó)電信官方今日消息，中國(guó)電信研究院、廣東電信、江蘇電信聯(lián)合華為開(kāi)展了 AI 時(shí)頻空 3D 調(diào)度現(xiàn)網(wǎng)前瞻技術(shù)試驗(yàn)，這是國(guó)內(nèi)完成的首次 T+T / T+F 雙場(chǎng)景共計(jì)約 50 站規(guī)模的現(xiàn)網(wǎng)試點(diǎn)驗(yàn)證，該實(shí)驗(yàn)從用戶感知、AI 模型能耗與性能穩(wěn)定性等多維度全面評(píng)估了無(wú)線 AI 新技術(shù)在現(xiàn)網(wǎng)的實(shí)際應(yīng)用性能。

發(fā)表于：1/14/2025

三星美國(guó)半導(dǎo)體廠再獲47.4億美元激勵(lì)資金

1 月 13 日消息，據(jù)韓媒“每日經(jīng)濟(jì)新聞”報(bào)道，三星電子正在美國(guó)得克薩斯州泰勒市建設(shè)一座先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片工廠，該公司聲稱其獲得了美國(guó)政府提供的 47.4 億美元（注：當(dāng)前約 348.34 億元人民幣）激勵(lì)資金，相應(yīng)工廠計(jì)劃于 2026 年開(kāi)始大規(guī)模芯片生產(chǎn)，目標(biāo)是與臺(tái)積電展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

發(fā)表于：1/14/2025

英偉達(dá)發(fā)布6.3萬(wàn)億Token大型AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)庫(kù)Nemotron-CC

1 月 13 日消息，據(jù)英偉達(dá)官方博客，英偉達(dá)宣布推出一款名為 Nemotron-CC 的大型英文 AI 訓(xùn)練數(shù)據(jù)庫(kù)，總計(jì)包含 6.3 萬(wàn)億個(gè) Token，其中 1.9 萬(wàn)億為合成數(shù)據(jù)。英偉達(dá)聲稱該訓(xùn)練數(shù)據(jù)庫(kù)可以幫助為學(xué)術(shù)界和企業(yè)界進(jìn)一步推動(dòng)大語(yǔ)言模型的訓(xùn)練過(guò)程。

發(fā)表于：1/14/2025

美國(guó)正式公布AI芯片限制新規(guī)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月13日，美國(guó)拜登政府通過(guò)白宮官網(wǎng)正式公布了之前傳聞的針對(duì)人工智能（AI）的臨時(shí)最終出口管制規(guī)則，以提升美國(guó)及其盟友的AI能力，確保美國(guó)技術(shù)成為全球人工智能使用的基礎(chǔ)，并進(jìn)一步限制中國(guó)大陸等國(guó)家和地區(qū)獲得美國(guó)AI技術(shù)的能力。

發(fā)表于：1/14/2025

變壓器完整測(cè)試所需儀器介紹

發(fā)表于：1/13/2025

變壓器的主要類型介紹

變壓器（Transformer）是利用電磁感應(yīng)的原理來(lái)改變交流電壓的裝置，主要構(gòu)件是初級(jí)線圈、次級(jí)線圈和鐵芯（磁芯）。主要功能有：電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩(wěn)壓（磁飽和變壓器）等。

發(fā)表于：1/13/2025

2024Q3全球TOP7半導(dǎo)體廠商瓜分近半市場(chǎng)

1月13日消息，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布了最新研究報(bào)告，公布了2024年第三季度全球TOP7半導(dǎo)體廠商，三星以12.4%的份額穩(wěn)居第一。

發(fā)表于：1/13/2025

Counterpoint發(fā)布2024Q3全球晶圓代工市場(chǎng)份額排名

1月13日消息，近日市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research公布了2024 年第三季度全球晶圓代工企業(yè)的收入份額排名，臺(tái)積電以高達(dá)64%的市場(chǎng)份額穩(wěn)居第一，中芯國(guó)際以6%市場(chǎng)份額排名第三。

發(fā)表于：1/13/2025

傳三星西安NAND Flash工廠減產(chǎn)超10%

1月13日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞顯示，三星電子已決定削減其位于中國(guó)西安工廠的NAND Flash投片量減少超過(guò)10%。由于目前全球NAND Flash已經(jīng)供過(guò)于求，或?qū)?dǎo)致今年NAND Flash價(jià)格大幅下跌，三星電子減產(chǎn)舉措似乎是為了推動(dòng)NAND Flash價(jià)格企穩(wěn)，以減少NAND Flash業(yè)務(wù)的損失。據(jù)了解，目前三星電子西安NAND Flash工廠的約均產(chǎn)量為20萬(wàn)片，經(jīng)過(guò)此番削減投片量之后，月產(chǎn)出預(yù)計(jì)將較少至17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。

發(fā)表于：1/13/2025

imec首次在12吋硅片上實(shí)現(xiàn)電泵浦GaAs基納米脊激光器制造

imec首次在12吋硅片上實(shí)現(xiàn)電泵浦GaAs基納米脊激光器的全晶圓級(jí)制造當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月9日，比利時(shí)微電子研究中心（Imec）宣布了硅光子學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)重要里程碑，在其CMOS試點(diǎn)原型生產(chǎn)線上成功演示了基于GaAs的電驅(qū)動(dòng)多量子阱納米脊激光二極管，該二極管在300毫米硅片上完全單片制造。

發(fā)表于：1/13/2025