| 功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷原理 | |
| 所屬分類(lèi)：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MOSFET | |
| 所需積分：1分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹： 開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開(kāi)通； -- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs 充電而上升，在t1 時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)電。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會(huì)員，AET專(zhuān)家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
MOSFET 相關(guān)資源
- 基于MOSFET的電動(dòng)汽車(chē)電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
- DN466集成熱插拔控制器,MOSFET和檢測(cè)電阻
- 100-15V TO 12V DCDC 原理圖 PCB BOM表
- MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
- 雙開(kāi)關(guān)正激轉(zhuǎn)換器及其應(yīng)用設(shè)計(jì)
- 通過(guò)分析MOSFET功耗產(chǎn)生機(jī)制來(lái)提高同步整
- IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)
- 關(guān)于MOSFET應(yīng)用時(shí)的散熱設(shè)計(jì)方法
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2