| 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： MOSFET 輻射性EMI | |
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| 文檔介紹： 經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。 | |
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