| 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)的理論分析 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：2067 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
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| 文檔介紹：本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計(jì)算了不同的霍爾電勢(shì)分布與磁靈敏度 | |
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