| 基于GaN HEMT寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：671 K | |
| 標(biāo)簽： 低噪聲放大器 氮化鎵 高電子遷移率晶體管 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：為了滿足不同通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，利用氮化鎵高電子遷移率晶體管器件設(shè)計(jì)了一個(gè)高線性度寬頻帶低噪聲放大器。低噪聲放大器采用兩級(jí)電阻負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，利用集總參數(shù)元件和微帶線對(duì)低噪聲放大器的輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)低噪聲、高線性度、寬頻帶和小回波損耗。在1～3 GHz頻率范圍內(nèi),仿真結(jié)果表明，低噪聲放大器的噪聲噪聲系數(shù)為2.39～3.21 dB，輸入端反射系數(shù)小于-10.6 dB，輸出端反射系數(shù)小于-17.9 dB，增益為23.74～25.68 dB，增益平坦度小于±0.97 dB，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率大于24.12 dBm，三階交調(diào)截取點(diǎn)輸出功率大于36.55 dBm。實(shí)際測(cè)試增益為22.08～26.12 dB，基本符合仿真結(jié)果。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
aetmagazine 的最新分享
- 國(guó)產(chǎn)高性能PLC綜合測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)
- 批產(chǎn)衛(wèi)星自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)研究與實(shí)現(xiàn)
- 基于VMD-LSTM的非侵入式負(fù)荷識(shí)別方法
- 基于平均電流模式的同步Buck數(shù)字電源設(shè)計(jì)研究
- 基于以太網(wǎng)的FPGA遠(yuǎn)程調(diào)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 毫米波CQFN外殼地孔設(shè)計(jì)與優(yōu)化
- K波段緊湊型收發(fā)前端組件的設(shè)計(jì)
- 射頻模塊中晶振對(duì)電磁兼容影響研究
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2