| 開(kāi)關(guān)電源MOSFET的交越損耗分析 | |
| 所屬分類(lèi)：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：83 K | |
| 標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：隨著環(huán)保節(jié)能的觀念越來(lái)越被各國(guó)所重視，電子產(chǎn)品對(duì)開(kāi)關(guān)電源需求不斷增長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)電源的功率損耗測(cè)量分析也越來(lái)越重要。由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部消耗的功率決定了電源熱效應(yīng)的總體效率，所以了解開(kāi)關(guān)電源的功率損耗是一項(xiàng)極為重要的工作。本文詳細(xì)分析開(kāi)關(guān)電源的核心器件之一---MOSFET開(kāi)關(guān)管的交越損耗，從而使電子工程師更加深入理解MOSFET產(chǎn)生損耗的過(guò)程。 | |
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