| 集成全新650V IGBT和發射極控制二極管芯片技術的三電平IGBT功率 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：205 K | |
| 標簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：通過將一個完整的三電平橋臂集成在一個模塊內部，把器件耐壓從600V提高到650V，然后配上較高集成度的驅動解決方案，這種三電平NPC拓撲為中、小功率逆變器如高效的UPS、PV等需要工作在較高開關頻率和配置有濾波器的應用帶來非常具有吸引力的解決方案。 | |
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