| 新型500V N溝道功率MOSFET | |
| 所屬分類：參考設計 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：148 K | |
| 標簽： MOS|IGBT|元器件 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。 | |
| 現在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
MOS|IGBT|元器件 相關資源
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2