| 德州儀器：最新DualCool NexFET功率MOSFET | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：88 K | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：隨著許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)(PCI、AT-CA),電信及服務(wù)器機(jī)柜的尺寸越來越小,功率密度會(huì)越來越大.在相同尺寸下,PCB板上集成的芯片越來越多,從而導(dǎo)致其電流不斷增加.所以,客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源,以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對(duì)處理器功能提出的更高要求.TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool~(TM) NexFET~(TM)功率MOSFET,它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流,可充分滿足客戶需求. | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
相關(guān)資源
aet 的最新分享
- GBT15834-2011 標(biāo)點(diǎn)符號(hào)用法
- GB 15835—2011 出版物上數(shù)字用法
- 學(xué)術(shù)出版規(guī)范 表格（CYT170—2019）
- 學(xué)術(shù)出版規(guī)范插圖（CYT171—2019）
- 學(xué)術(shù)出版規(guī)范 期刊學(xué)術(shù)不端行為界定（CYT174-2019）
- GB7714-2015 信息與文獻(xiàn) 參考文獻(xiàn)著錄規(guī)則
- 破解數(shù)據(jù)要素流動(dòng)與隱私保護(hù)相沖突的局-方濱興
- 工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)安全實(shí)驗(yàn)室建設(shè)思路與實(shí)踐
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2