| 解讀功率電子技術發展趨勢——飛兆半導體與PCIM China 2010大放異彩 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大?。?span>76 K | |
| 標簽： MOS|IGBT|元器件 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：2010年6月1日～3日在上海舉辦的PCIM China 2010展會上，來自飛兆半導體的技術專家與業內人士共聚一堂，分享了最新成果，并于同期研討會上闡述了功率電子技術的最新發展狀況和未來的發展趨勢。 | |
| 現在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2