| 1.9GHz 低電壓低功耗 CMOS 射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：306 K | |
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| 文檔介紹：針對(duì)1.9 GHz PHS和DECT無(wú)線接入系統(tǒng)的應(yīng)用，提出了一種可工作于0.9 V低電壓的CMOS射頻低噪聲放大器，并對(duì)其電路結(jié)構(gòu)、噪聲及線性度等主要性能進(jìn)行分析。該電路基于傳統(tǒng)的折疊結(jié)構(gòu)低噪聲放大器，利用晶體管線性補(bǔ)償技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低壓低功耗下的高線性度。采用TSMC 0.18 μm CMOS工藝模型設(shè)計(jì)與驗(yàn)證。 | |
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