基于ECRL電路的兩種改進(jìn)絕熱電路 | |
所屬分類(lèi):技術(shù)論文 | |
上傳者:aet | |
文檔大小:1549 K | |
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文檔介紹:傳統(tǒng)絕熱電路ECRL(Efficient Charge Recovery Logic)有兩個(gè)缺點(diǎn),其一是電路節(jié)點(diǎn)能量不能被完全回收;其二是電路的功耗隨著負(fù)載電容的增大而增加。對(duì)此提出了兩種改進(jìn)型電路,一種是構(gòu)造一條能量回收通路,使得未回收的能量通過(guò)構(gòu)造的通路得到回收,用有限的絕熱損失實(shí)現(xiàn)非絕熱能量的完全回收;另一種是通過(guò)自舉操作使得電路的非絕熱過(guò)程僅涉及電容較小的驅(qū)動(dòng)MOSFET管,與負(fù)載電容不直接相關(guān)。采用0.5 μm BSIM3v3模型工藝的HSPICE對(duì)上述電路進(jìn)行仿真,結(jié)果表明,與ECRL電路相比,兩種改進(jìn)型電路的功耗均有一定程度的降低。 | |
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