| 一種二階溫度補償?shù)腃MOS帶隙基準電路 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：523 K | |
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| 文檔介紹：提出了一種可用于標準CMOS工藝下且具有二階溫度補償電路的帶隙基準源。所采用的PTAT2電流電路是利用了飽和區(qū)MOSFET的電流特性產(chǎn)生的，具有完全可以與標準CMOS工藝兼容的優(yōu)點。針對在該工藝和電源電壓下傳統(tǒng)的啟動電路難以啟動的問題，引入了一個電阻，使其可以正常啟動。基準核心電路中的共源共柵結(jié)構(gòu)和串聯(lián)BJT管有效地提高了電源抑制比，降低了溫度系數(shù)。基于TSMC 0.35 μｍ CMOS工藝運用HSPICE軟件進行了仿真驗證。仿真結(jié)果表明，在3.3 V供電電壓下，輸出基準電壓為1.225 4 V，溫度系數(shù)為2.91×10-6V/℃，低頻的電源抑制比高達96 dB，啟動時間為7 μs。 | |
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