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Vishay新型SMD HI-TMP®液鉭電容器可節(jié)省基板空間并提高可靠性
發(fā)表于：7/3/2021 10:29:32 PM
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Microchip的MPLAB云工具生態(tài)系統(tǒng)為PIC和AVR單片機提供安全、平臺無關(guān)的開發(fā)工作流程
發(fā)表于：6/27/2021 10:48:00 AM
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聚焦電路保護，貿(mào)澤電子攜手Bourns舉辦新一期在線研討會
發(fā)表于：6/27/2021 10:31:48 AM
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意法半導(dǎo)體與米蘭理工大學(xué)合建先進傳感器研發(fā)中心
發(fā)表于：6/22/2021 8:58:00 PM
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TI推出全新SAR ADC系列，更高采樣率和分辨率
發(fā)表于：6/19/2021 6:28:52 AM
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2021年全球半導(dǎo)體硅片市場分析
發(fā)表于：6/16/2021 6:29:25 AM
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貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議
發(fā)表于：6/10/2021 10:25:00 PM
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半導(dǎo)體前道設(shè)備市場：五巨頭把控，中國廠商任重道遠
發(fā)表于：6/10/2021 1:51:06 PM
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Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET，進一步提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效
發(fā)表于：6/1/2021 10:13:23 PM
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半導(dǎo)體行業(yè)一季報解析：誰得利？誰失意？
發(fā)表于：5/20/2021 9:53:49 PM
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貿(mào)澤電子與金屬箔電阻生產(chǎn)商Alpha Electronics 簽署全球分銷協(xié)議
發(fā)表于：5/16/2021 10:07:00 PM
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Vishay的新款交流濾波薄膜電容器可在高濕環(huán)境下持續(xù)穩(wěn)定工作
發(fā)表于：5/6/2021 11:18:49 PM
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Achronix宣布其業(yè)界性能最高的Speedster7t FPGA器件現(xiàn)已開始供貨
發(fā)表于：4/29/2021 8:37:13 PM
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Xilinx 宣布 7nm Versal AI Core 和 Versal Prime 系列器件全面量產(chǎn)出貨
發(fā)表于：4/29/2021 8:05:00 PM
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科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達加速發(fā)展
發(fā)表于：4/19/2021 9:31:11 PM
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Cree | Wolfspeed推出先進X-波段雷達器件，賦能高性能射頻功率解決方案
發(fā)表于：4/16/2021 8:27:00 PM
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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度
發(fā)表于：4/11/2021 6:37:00 PM
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英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM
發(fā)表于：4/1/2021 9:21:00 PM
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Vishay的新款第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器具有極高的反向恢復(fù)性能
發(fā)表于：3/31/2021 9:34:13 PM
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SEPIC、升壓、反相和反激式控制器解決了高阻抗、超長工業(yè)電源線的電壓降問題
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Dialog為最新納安級GreenPAK?器件添加多通道輸入功能
發(fā)表于：3/19/2021 11:15:00 PM
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新型車用650 V CoolSiC混合分立器件助力快速開關(guān)車載充電器應(yīng)用實現(xiàn)性能提升
發(fā)表于：3/19/2021 10:42:00 PM
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采用Littelfuse TMOV技術(shù)的LST壓敏電阻使浪涌保護器件更可靠
發(fā)表于：3/14/2021 10:38:04 PM
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萊迪思Sentry解決方案集合2.0全新功能拓展強化網(wǎng)絡(luò)保護恢復(fù)能力
發(fā)表于：3/14/2021 9:56:00 PM
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Vishay推出100 %無鉛（Pb）版NTCALUG系列NTC Lug頭熱敏電阻
發(fā)表于：3/9/2021 7:54:00 PM
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Vishay推出飽和電流高達420 Amp的新款汽車級插件電感器
發(fā)表于：3/3/2021 9:23:00 PM
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東芝推出輕薄緊湊型LDO穩(wěn)壓器，助力縮小器件尺寸、穩(wěn)定電源線輸出
發(fā)表于：3/3/2021 9:07:00 PM
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Vishay推出性能先進的高可靠性表面貼裝陶瓷安規(guī)電容器
發(fā)表于：2/26/2021 11:13:57 AM
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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉(zhuǎn)換器件
發(fā)表于：2/10/2021 10:02:00 AM
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X-FAB對其180nm APD和SPAD器件進行重大改進 提升光子探測性能并增加其有源區(qū)面積
發(fā)表于：2/6/2021 7:30:23 PM
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